[实用新型]湿式蚀刻装置有效
申请号: | 201621186842.1 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN206293413U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 黄荣龙;吕峻杰;陈滢如 | 申请(专利权)人: | 盟立自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种关于湿式制程领域,尤其是关于一种湿式蚀刻装置。
背景技术
在面板产业中,湿式制程的发展已经相当成熟。然而习知湿式制程机台中,使用上具有维修困难、耗液量大、均匀性不佳、漏夜、及背面脏污问题。
上述背面脏污的问题大部分的原因是支撑一基板并移动所述基板的滚轮所造成,对于超薄基板而言,常常需要用到数以千计的滚轮,使用数量庞大的滚轮除了价格高昂之外,也不利于维护保养,甚至会在基板的背面(即与滚轮接触的一面)形成滚痕(roller mark)。再者,现有立体(3D)封装需要进行双面制程,使用滚轮承载基板的湿式蚀刻装置无法对基板的背面进行蚀刻制程。
习知的技术中,已有采用液体浮力来取代滚轮,但是,对于如何解决所述基板的移动问题却没有有效的解决方案。
因此需要针对上述习知技术中移动基板的问题提出解决方法。
发明内容
本实用新型提供一种湿式蚀刻装置,其能解决习知技术中使用滚轮承载基板的问题。
本实用新型之湿式蚀刻装置包括一腔体、若干蚀刻液喷嘴、一承载平台以及一导引装置。所述腔体包括一进气口以及一出气口。所述进气口用于导入一蚀刻气体。所述出气口用于导出所述蚀刻气体。所述若干蚀刻液喷嘴设置于所述腔体中以对一基板进行蚀刻。所述承载平台设置于所述腔体中。所述承载平台包括一本体以及若干平台喷嘴。所述本体设置于所述基板下方。所述若干平台喷嘴贯穿所述本体,一液体透过所述若干平台喷嘴提供一向上的液体浮力用以抵销所述基板向下的重力以承载所述基板。所述导引装置设置于所述乘载平台的一侧。所述导引装置包括若干导引口,通过所述若干导引口导引所述液体进而使所述基板移动。
在一优选实施例中,所述湿式蚀刻装置进一步包括一抽风模块。所述抽风模块连接至所述进气口及所述出气口且用于将所述腔体内部之蚀刻所需气体从所述出气口抽出附加电路板。
在一优选实施例中,所述液体为水或制程所需药液。
在一优选实施例中,所述导引装置设置在所述基板的上下两侧。
在一优选实施例中,所述若干导引口吸取所述液体进而使所述基板移动。
在一优选实施例中,所述若干导引口喷出所述液体进而使所述基板移动。
在一优选实施例中,第一部份的所述若干导引口喷出所述液体以及第二部份的所述若干导引口吸入所述液体进而使所述基板移动。
在一优选实施例中,所述液体进入/喷出所述若干导引口的方向在所述基板移动的方向上有分量。
本实用新型之湿式蚀刻装置能解决移动基板的问题并在减少滚痕的同时亦能进行双面制程。再者,蚀刻所需气体经由抽风模块抽出后可进一步再生使用,对蚀刻液进行加压的功能,因此能节省气体使用量。
附图说明
图1显示根据本实用新型之第一实施例之湿式蚀刻装置之示意图;
图2A显示根据本实用新型第一实施例之湿式蚀刻装置之导引装置与基板的放大示意图;
图2B显示图2A的导引装置的正视图;
图2C显示根据图2A的区域A的放大示意图;
图3A显示根据本实用新型第二实施例之湿式蚀刻装置之导引装置与基板的放大示意图;
图3B显示图3A的导引装置的正视图;
图4A显示根据本实用新型第三实施例之湿式蚀刻装置之导引装置与基板的放大示意图;
图4B显示图4A的导引装置的第一型正视图;以及
图4C显示图4A的导引装置的第二型正视图。
具体实施方式
请参阅图1,图1显示根据本实用新型一第一实施例之湿式蚀刻装置1之示意图。
如图1所示,本实用新型之湿式蚀刻装置1包括若干蚀刻液喷嘴10、一腔体20、一承载平台40、一抽风模块50以及一导引装置60。
所述若干喷嘴10设置于所述腔体20中以对一基板30进行蚀刻,更明确地说,所述若干蚀刻液喷嘴10设置于所述基板30的上方。所述基板30可以为目前湿式制程中需要进行蚀刻的基板,例如但不限于为一玻璃基板。所述承载平台40设置于所述腔体20中并用于非接触地承载所述基板30。
所述腔体20主要包括一进气口200以及一出气口202。于本实施例中,所述进气口200及所述出气口202分别设置于所述腔体20之两相对的侧壁上,然而本实用新型并不限于此,所述进气口200及所述出气口202可设置于所述腔体20之相同或不同侧壁上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造