[实用新型]高强度无偏角的芯片倒装键合换能器

权利要求书

1.一种高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于：其包括超声变副杆基体、压电陶瓷片堆、预紧锲块、键合工具和安装螺丝，所述超声变副杆基体的中心位置设有安装位，所述键合工具通过安装螺丝固定在所述安装位上，超声变副杆基体的一侧位置设有安装腔，压电陶瓷片堆通过预紧锲块固定在该安装腔内，对应安装位的两侧位置于超声变副杆基体上对称设有两安装部，且该安装部位于超声振动的节点位置上。

2.根据权利要求1所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述超声变副杆基体采用钛、钢或铝合金材料制成，整体长度为78～85mm，宽度为8～12mm。

3.根据权利要求1或2所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述超声变副杆基体的中间位置宽度较小，两端部位逐渐增宽。

4.根据权利要求1所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述超声变副杆基体设有安装部的位置的厚度厚于其它部位的厚度。

5.根据权利要求1所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述压电陶瓷片堆采用两片、四片、或六片压电陶瓷组成而成，该压电陶瓷的外形轮廓为方形或圆形。

6.根据权利要求1所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述预紧锲块为采用钛、钢或铝合金材料制成的锲形块体，该锲形块体的一表面为平面，相对的另一表面为斜面。

7.根据权利要求1所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述键合工具上轴向设有真空吸附孔，该键合工具的上部设有斜锥面，并在所述安装位的下端位置设有与该斜锥面相适配的锥形开口，所述真空吸附孔的上端内壁设有与所述安装螺丝相适配的内螺纹。

8.根据权利要求7所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述安装螺丝伸入真空吸附孔内的部位为中空结构形成真空管道，并在安装螺丝上径向设有与该真空管相连通的连接气孔。

9.根据权利要求8所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，所述超声变副杆基体的另一侧位置设有与所述连接气孔相连接的真空气道，该真空气道与位于外部的真空管接头相连接。

10.根据权利要求1所述的高强度无偏角的芯片倒装键合换能器，其特征在于，其使用的频率范围为40～100kHz。