[实用新型]一种可单片使用的LOW‑E玻璃有效
| 申请号： | 201621194162.4 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN206570215U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 林嘉佑 | 申请（专利权）人： | 林嘉佑 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片 使用 low 玻璃 | ||
【权利要求书】：
1.一种可单片使用的LOW-E玻璃，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板表面从下向上呈纵向依次设置底层电介质层、吸收层、中间电介质层、透明导电层和顶层电介质层，所述的底层电介质层、中间电介质层和顶层电介质层均包括Si3N4、TiO2、Nb2O5，SiOxNy中的一种或几种，所述的吸收层包括Cr、NiCr、NiV、Ti、SST中的一种或几种，所述透明导电层包括ITO、AZO、GZO中的一种或几种。
2.如权利要求1所述的一种可单片使用的LOW-E玻璃，其特征在于，所述底层电介质层、中间电介质层和顶层电介质层的折射率均为1.5～2.0，并且膜厚均为30～150nm。
3.如权利要求1所述的一种可单片使用的LOW-E玻璃，其特征在于，所述吸收层的膜厚为0.1～5nm。
4.如权利要求1所述的一种可单片使用的LOW-E玻璃，其特征在于，所述透明导电层的膜厚为30～250nm。
5.如权利要求1所述的一种可单片使用的LOW-E玻璃，其特征在于，所述底层电介质层、吸收层、中间电介质层、透明导电层和顶层电介质层采用磁控溅射的方式依次沉积在玻璃基板上。
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