[实用新型]可旋转溅射装置和可旋转溅射装置对的布置

权利要求书

1.一种可旋转溅射装置(100)，所述可旋转溅射装置包括：

靶材背衬管(110)，所述靶材背衬管具有旋转轴(200)；

磁体组件，所述磁体组件布置在所述靶材背衬管内；

冷却通道(180)，所述冷却通道用于提供冷却流体，所述冷却通道布置在所述靶材背衬管内；

所述磁体组件布置在所述旋转轴(200)的方向上，并且相对于所述旋转轴(200)偏移；

所述冷却通道布置在所述旋转轴(200)的方向上，并且相对于所述旋转轴(200)偏移；

连接凸缘(232)，所述连接凸缘用于将冷却流体提供至所述冷却通道，所述连接凸缘与所述旋转轴同轴地布置；以及

交叉元件，所述交叉元件与所述连接凸缘接触，

其中所述交叉元件(234)将所述连接凸缘与所述冷却通道连接。

2.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述连接凸缘(232)包括用于引入和排出所述冷却流体的双壁管。

3.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述交叉元件(234)是具有用于接触所述连接凸缘(232)的对接凸缘的中空体。

4.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述交叉元件(234)设有用于将所述冷却通道(180)连接至所述交叉元件(234)的配合元件。

5.根据权利要求4所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述配合元件设有相对于所述靶材背衬管(110)的所述旋转轴(200)的偏移。

6.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述交叉元件(234) 是弯曲管。

7.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述交叉元件(234)是柔性软管。

8.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述磁体组件布置在所述靶材背衬管(110)的第一半部中；并且

所述冷却通道(180)相对于所述旋转轴(200)的所述偏移(207)延伸到所述靶材背衬管(110)的第二半部中，其中所述第一半部在第一方向上远离所述旋转轴(200)延伸，并且所述第二半部在第二方向上远离所述旋转轴(200)延伸，所述第二方向不同于所述第一方向。

9.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，用于磁轭的覆盖罩(170)和支撑板(160)限定用于所述磁体组件的外壳。

10.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述磁体组件具有距所述旋转轴的30mm或更低的偏移。

11.根据权利要求1所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述靶材背衬管(110)具有85mm或更低的内径。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述磁体组件包括成排地布置的磁轭(120)和永久磁体(130)用来产生磁场，所述磁轭包括具有中心突起的基底板。

13.根据权利要求12所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述中心突起具有为所述基底板的厚度的至少100％的延伸。

14.根据权利要求12所述的可旋转溅射装置，其特征在于，所述永久磁体具有宽度，其中中心磁体排的宽度比外部体排的永久磁体的宽度大至少50％。

15.一种可旋转溅射装置对的布置，所述布置包括第一可旋转溅射装置和第二可旋转溅射装置，其中所述第一可旋转溅射装置是根据权利要求1至11中的任一项所述的可旋转溅射装置，并且所述第二可旋转溅射装置是根据权利要求1至11中的任一项所述的可旋转溅射装置。

16.根据权利要求15所述的可旋转溅射装置对的布置，进一步包括用于溅射沉积工艺的沉积腔室，其中所述第一可旋转溅射装置和所述第二可旋转溅射装置布置在一个沉积腔室中。

17.根据权利要求15所述的可旋转溅射装置对的布置，其特征在于，所述第一可旋转溅射装置(100)的第一旋转轴(200)和所述第二可旋转溅射装置(101)的第二旋转轴(201)以200mm或更低的距离(225)在长度方向上布置。