[实用新型]一种半自动BGA植球设备有效
申请号: | 201621215568.6 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN206271664U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 朱笑鶤 | 申请(专利权)人: | 上海鑫匀源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K3/08 |
代理公司: | 上海欣创专利商标事务所31217 | 代理人: | 西江 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半自动 bga 设备 | ||
技术领域
本实用新型属于微电子技术领域,具体涉及一种半自动BGA植球设备。
背景技术
BGA(Ball Grid Array)球栅阵列封装是在封装体基板的底部制作阵列焊球作为电路的I/O端与PCB(印刷线路板)互接。随着BGA的发展和广泛应用,其将成为高密度、高性能、多功能封装的最佳选择。 BGA封装方式是将接脚以全面格点状散列的方式排列,并以锡球作为接脚及焊点,此种封装方式可以克服接脚较多以致弯曲的现象,但BGA的封装方式需借助植球设备将锡球附着晶片的接脚上。
现有的BGA植球设备结构非常复杂,在更换新产品时工作量较大,对操作人员的技能要求比较高;并且需要配置价格昂贵的特制植球治具,对于需求量不是很大的产品来说成本过高,即不适合小规模BGA植球要求。
发明内容
针对上述现有技术的缺点或不足,本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单、操作方便、效率高且成本低的半自动BGA植球设备。
为解决上述技术问题,本实用新型具有如下构成:
一种半自动BGA植球设备,包括主控台以及设置在主控台内部的控制系统,所述主控台的台面上安装一加热板,所述加热板的上方设有显微镜;所述主控台上还设有电动真空吸笔。
所述显微镜通过支撑柱与主控台连接。
所述显微镜可替换为放大镜,所述放大镜通过支撑柱与主控台可拆卸式连接。
与现有技术相比,本实用新型具有如下优点:
1)本实用新型成本低、操作方便,非常适合小规模的BGA植球需求,特别是实验室的BGA植球需求;
2)本实用新型中电动真空吸笔与显微镜或放大镜组合使用,较易实现手动植球;
3)在条件不允许的情况下,可以选择使用不同放大倍率的放大镜来配合完成BGA植球,适用性较强;
4)主控台中的控制系统可以对加热温度以及电动真空吸笔中的真空量进行控制,可以满足不同要求的锡球焊接;
5)采用电动真空吸笔代替传统的植球治具,更加方便手动操作,且大大降低了使用成本。
附图说明
图1:本实用新型半自动BGA植球设备结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明,以充分地了解本实用新型的目的、特征和效果。
如图1所示,本实用新型半自动BGA植球设备,包括主控台10、设置在主控台10内部的控制系统、加热板20、显微镜30以及电动真空吸笔40。
所述主控台10的台面上安装一加热板20,所述加热板20的上方设有显微镜30,所述显微镜30通过支撑柱11与主控台10连接。所述主控台10上还设有电动真空吸笔40。所述电动真空吸笔40与显微镜30或放大镜(见下文描述)的组合使用,较易实现手动植球;采用电动真空吸笔代替传统的植球治具,更加方便手动操作,且大大降低了使用成本;主控台中的控制系统可以对加热温度以及电动真空吸笔中的真空量进行控制,可以满足不同要求的锡球焊接。
所述显微镜30可替换为放大镜,所述放大镜通过支撑柱11与主控台10可拆卸式连接。在条件不允许的情况下,可以选择使用不同放大倍率的放大镜来配合完成BGA植球,适用性较强。
本实用新型半自动BGA手动植球设备,可以直接在此主控台台面上完成手动植球操作,非常适合小规模的BGA植球或BGA返修工作。具体使用时,首先启动控制系统,对主控台10台面上的加热板20进行加热,并把需要植球的芯片放置在加热板20上进行加热,控制系统适时控制该加热温度,温度控制标准为IR-reflow Profile(红外回流焊曲线)。然后操作人员手持电动真空吸笔40,吸取锡球放置在芯片上,通过显微镜30或放大镜观察锡球拜访的情况,在上述红外回流焊烘烤的作用下完成BGA植球。
根据本实施例的教导,本技术领域的技术人员完全可实现其它本实用新型保护范围内的技术方案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造