[实用新型]基于ADF4351的射频信号频率合成器

说明书

技术领域

本实用新型涉及频率合成领域，具体涉及基于ADF4351的射频信号频率合成器。

背景技术

基于锁相环频率合成技术，由于锁相环路相当于窄带跟踪滤波器，能很好地选择所需频率的信号，抑制杂散分量，避免了大量使用滤波器，而标准频率源具有高的长期频率稳定度，锁相式频率合成器把这二者结合在一起，使其合成信号的长期稳定度和短期稳定度都很高。但是，传统频率合成还是存在问题，例如带宽不够宽，导致频率源利用效率不高，使得频率源的功效大打折扣。芯片ADF4351的时钟信号线和数据信号线造成的振荡较大，影响频率合成。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有技术中带宽不够宽，导致频率源利用效率不高的问题以及ADF4351的时钟信号线和数据信号线造成的振荡较大，影响频率合成的问题，目的在于提供基于ADF4351的射频信号频率合成器，利用芯片ADF4351的优势，使得频率合成器的带宽增加，提高频率源的效率，使频率源更稳定的工作，同时在芯片ADF4351的时钟信号线和数据信号线上接电阻，能有效信号源的阻抗匹配，以减少反射、避免振荡。

本实用新型通过下述技术方案实现：

基于ADF4351的射频信号频率合成器，包括芯片ADF4351、电阻R19、电阻R20、电阻R23、电阻R24、电容C31、电容C33、电容C38、发光二极管LED，所述电阻R20的引脚1与芯片ADF4351的芯片使能引脚CE连接，其引脚3与芯片ADF4351的加载使能引脚LE连接，其引脚5与芯片ADF4351的数据引脚DATA连接，其引脚7与芯片ADF4351的时钟引脚CLK连接；所述电阻R19一端与发光二极管LED的阳极连接，其另一端与芯片ADF4351的锁定检测输出引脚LD连接，所述发光二极管LED的阴极接地，芯片ADF4351的信号经过锁定检测输出引脚LD通过电阻R19输出；所述芯片ADF4351的电荷泵输出引脚CPout、电阻R23、电容C38 依次连接，且电容C38相对于与电阻R23连接的另一端接地；所述芯片ADF4351的电荷泵输出引脚CPout、电容C31、电阻R24依次连接，且电阻R24相对于与电容C31连接的另一端接地，电容C33一端与芯片ADF4351的电荷泵输出引脚CPout连接，其另一端接地。电阻R20的引脚2与引脚1对应，引脚2接收外部的芯片使能信号，其引脚4与引脚3对应，引脚4接收外部的加载使能信号，其引脚6与引脚5对应，引脚6接收外部的数据信号，其引脚8与引脚7对应，引脚8接收外部的时钟信号。在芯片ADF4351的时钟引脚CLK和数据信号引脚DATA上接电阻R20，有利于信号源的阻抗匹配，以减少反射、避免振荡

进一步地，基于ADF4351的射频信号频率合成器，还包括电容C24、电容C25、电容C26、电容C28、电容C30、电容C32，所述电容C24一端与芯片ADF4351的基准电压引脚Vref连接，其另一端接地，电容C25并联在电容C24两端；所述电容C26一端与芯片ADF4351的内部补偿节点引脚Vcom连接，其另一端接地，电容C28并联在电容C26两端；所述电容C30一端与芯片ADF4351的温度补偿输出引脚TEMP连接，其另一端接地，电容C32并联在电容C30两端。电容C24、电容C25、电容C26、电容C28、电容C30、电容C32，均为去耦的作用。

进一步地，基于ADF4351的射频信号频率合成器，还包括电阻R22，所述电阻R22一端与芯片ADF4351的复位引脚RSET连接，其另一端接地。电阻R22连接在复位引脚RSET可设置电荷泵输出电流。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本实用新型利用芯片ADF4351的优势，使得频率合成器的带宽增加，提高频率源的效率，使频率源更稳定的工作；同时，利用芯片ADF4351设计的频率合成器还具有体积小、功耗低的特点；同时在芯片ADF4351的时钟信号线和数据信号线上接电阻，能有效信号源的阻抗匹配，以减少反射、避免振荡。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。