[实用新型]温度补偿型压力传感器有效
申请号: | 201621225049.8 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN206514993U | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 宋金德;宋杰;唐健;焦继伟 | 申请(专利权)人: | 江苏星峰光电科技有限公司 |
主分类号: | G01L19/04 | 分类号: | G01L19/04;G01L1/26 |
代理公司: | 南京汇恒知识产权代理事务所(普通合伙)32282 | 代理人: | 夏恒霞 |
地址: | 224001 江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 补偿 压力传感器 | ||
1.温度补偿型压力传感器,由传感器本体和温度补偿单元组成,所述温度补偿单元包括差动放大器、AD转换器和单片机,所述单片机还连接有温度传感器,其特征在于,所述传感器本体包括壳体、硅环和引线,所述硅环将壳体内部分为低压腔和高压腔,硅环顶部覆盖有硅膜片,所述硅膜片的上表面和下表面均粘接有硅酸铝薄片,所述硅膜片上设置有硅应变计,所述硅膜片和硅应变计之间设置有绝缘层,所述引线包括4根引出线,分别为正极引出线、负极引出线、电压输出线和数据通讯线,所述差动放大器连接引线中的数据通讯线。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述低压腔和高压腔相互隔离。
3.根据权利要求1所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述硅膜片表面有磨砂。
4.根据权利要求2所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述硅膜片由陶瓷材料制成。
5.根据权利要求1所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述硅酸铝薄片的厚度为60~90μm。
6.根据权利要求4所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述硅酸铝薄片为立方体形。
7.根据权利要求4所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述单片机选用PIC单片机。
9.根据权利要求1所述的温度补偿型压力传感器,其特征在于,所述壳体为不 锈钢材料制成。
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