[实用新型]一种多晶硅还原炉底盘有效

专利信息
申请号: 201621229250.3 申请日: 2016-11-16
公开(公告)号: CN206735808U 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 王淑琴;占时友 申请(专利权)人: 上海韵申新能源科技有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙)31306 代理人: 唐海波
地址: 201612 上海市松江区漕河泾开发*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 还原 底盘
【权利要求书】:

1.一种多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述多晶硅还原炉底盘上设有电极孔,以所述多晶硅还原炉底盘中心为中心设一正六边形,再以所述正六边形的六条边展开形成6个正六边形,在形成的24个顶点上各分布1个电极孔,外圈电极孔按环向对称紧凑布置,至少布置两圈,形成至少36对电极孔,硅芯按照中心六边形、外圈环向混合搭接,所述7个正六边形的中心分别设有1个进气口,外圈的进气口与环向搭接的硅芯形成同心圆环向布置至少三圈,所述多晶硅还原炉底盘上布有出气口。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述电极孔数量为:外圈至少两圈环向布置,内圈至少12对电极孔,外圈至少12对电极孔,至少24对电极孔,和中心合计形成至少36对电极孔。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述中心硅芯以正六边形的六个顶点射线搭接,形成六对;再以六边形的周向直边搭接形成六对,共计12对。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述外圈环向硅芯按照环形对称搭接,形成环形等距硅芯。

5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述外圈的进气口满足条件,至少一个进气口分布在两两对应的硅芯周边。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述多晶硅还原炉底盘上设有多个出气口,按照一定的方式分布在底盘上。

7.根据权利要求6所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述多晶硅还原炉底盘上设有多个出气口,出气口按照内外圈组合布置,均布在外圈硅芯同心圆上,形成对称布置。

8.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述电极孔内电极铜排串联分相控制,单相至少控制6组硅芯。

9.根据权利要求1至8之一所述的多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述相邻两两电极的间距为200mm~400mm,所述多晶硅还原炉底盘的直径为2500~3500mm。

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