[实用新型]一种新型超结逆导IGBT结构有效
| 申请号： | 201621232477.3 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN206412364U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;白玉明;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 超结逆导 igbt 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型超结逆导IGBT结构，其特征在于：包括：
N-型基区(1)；
P型基区(2)，所述P型基区(2)为两个且分别位于所述N-型基区(1)的左上部和右上部；
N+集电区(4)，所述N+集电区(4)为两个且分别位于两个所述P型基区(2)的上表面内；
集电极(10)，所述集电极(10)位于所述N-型基区(1)的下表面；
P柱(3)，所述P柱(3)为多个且分布在所述N-型基区(1)的内两侧；
背部P柱(9)，所述背部P柱(9)为两个且位于所述集电极(10)的上表面，两个所述背部P柱(9)分别位于所述N-型基区(1)的底部两侧。
2.根据权利要求1所述的新型超结逆导IGBT结构，其特征在于：所述超结逆导IGBT结构还包括栅氧层(5)、多晶栅(6)和栅电极(8)，所述栅氧层(5)位于所述N-型基区(1)、P型基区(2)和N+集电区(4)的上表面，所述多晶栅(6)位于所述栅氧层(5)的上表面，所述栅电极(8)位于所述多晶栅(6)的上表面。
3.根据权利要求1所述的新型超结逆导IGBT结构，其特征在于：所述超结逆导IGBT结构还包括两个发射极(7)，两个所述发射极(7)分别位于两个所述P型基区(2)的上表面。
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