[实用新型]一种MOSFET驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动控制电路，具体涉及一种MOSFET驱动电路。

背景技术

传统MOSFET饱和导通的条件是栅极(G)电压大于源极(S)电压，饱和导通的门限电压VGS(th)一般在3V-5V之间。

在一些控制电路的应用中，逻辑部分一般都是使用典型的5V或者3.3V供电；功率部分一般都会使用12V或者更高的电压。当使用传统的图腾柱驱动N沟道耗尽型MOSFET时，如图1所示，VCC2的电压为5V或者3.3V，由于三极管的PN结压降为0.7V，那么MOSFET的栅源极驱动电压为4.3V或者2.6V，显然不能满足MOSFET可靠导通的要求。

为了解决这一问题，通常会借助专用的驱动芯片来提供可靠的栅源极驱动电压，如图2所示，这样会增加了器件的成本和电路的复杂程度。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提出了一种MOSFET驱动电路，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，第一三极管和第三三极管为PNP型三极管，第二三极管和第四三极管为NPN型三极管；第一三极管的集电极与功率电路供电电压连接，发射极同时与第三电阻的一端和第四三极管的集电极连接，基极与第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极同时与第二电阻的一端以及第三三极管的发射极连接，基极同时与第一电阻的一端、第四电阻的一端以及第三三极管的基极连接；第三三极管的集电极与第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极接地；第一电阻的另一端连接逻辑电路供电电压；第二电阻的另一端连接PWM的信号输入端；第三电阻的另一端连接N沟道耗尽型MOSFET的栅极；第四电阻的另一端接地。

进一步，根据权利要求1所述的电路，其特征在于，N沟道耗尽型MOSFET的源极接地，漏极经负载接电压。

进一步，逻辑电路供电电压通过第一电阻和第四电阻分压，第四电阻的端电压作为基准电压。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过简单的分立器件组合电路，解决了小幅度的PWM信号驱动高门限栅极电压值的MOSFET驱动问题，电路简单，成本也大大低于专用驱动芯片的成本。

附图说明

图1是现有技术的一种MOSFET驱动电路的结构示意图；

图2是现有技术的另一种MOSFET驱动电路的结构示意图；

图3是本实用新型提出的MOSFET驱动电路的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。但本领域技术人员知晓，本实用新型并不局限于附图和以下实施例。

本实用新型提出了一种MOSFET驱动电路，如图3所示。该MOSFET驱动电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q4、第四三极管Q5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，其中，第一三极管Q1和第三三极管Q4为PNP型三极管，第二三极管Q2和第四三极管Q5为NPN型三极管。

第一三极管Q1的集电极C与功率电路供电电压VCC2连接，发射极E同时与第三电阻R3的一端和第四三极管Q5的集电极C连接，基极B与第二三极管Q2的集电极C连接。

第二三极管Q2的发射极E同时与第二电阻R2的一端以及第三三极管Q4的发射极E连接，基极B同时与第一电阻R1的一端、第四电阻R4的一端以及第三三极管Q4的基极B连接。

第三三极管Q4的集电极C与第四三极管Q5的基极B连接。

第四三极管Q5的发射极E接地GND。

第一电阻R1的另一端连接逻辑电路供电电压VCC1。

第二电阻R2的另一端连接PWM的信号输入端PWM_IN。第二电阻R2用于限制第二三极管Q2和第三三极管Q4的基极电流。

第三电阻R3的另一端连接N沟道耗尽型MOSFET Q3的栅极G。第三电阻R3用于限制MOSFET Q3的栅极电流。

第四电阻R4的另一端接地GND。

N沟道耗尽型MOSFET Q3的源极S接地GND，漏极D经负载Rload接VDC。

逻辑电路供电电压VCC1通过第一电阻R1和第四电阻R4分压，第四电阻R4的端电压作为基准电压VREF，提供PWM电压基准。

其中，VCC2可以为功率电路供电电压，也可以为其他电压，一般要求VCC1≤VCC2。

第二三极管Q2和第三三极管Q4组成图腾柱。