[实用新型]一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT

权利要求书

1.一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT，其特征在于：包括：

N-型基区(1)；

位于所述N-型基区(1)上部的三个多晶栅(7)；

位于所述N-型基区(1)上表面的P型基区(2)，所述P型基区(2)为两个且分别位于两个相邻的多晶栅(7)之间；

位于所述P型基区(2)上表面的N+集电区(5)，所述N+集电区(5)为两个且分别位于两个相邻的多晶栅(7)之间；

位于所述N+集电区(5)上表面的发射极(9)，所述发射极(9)为两个且分别位于两个N+集电区(5)上表面，其中一个所述发射极(9)连接的接触金属深入到对应的P型基区(2)的下表面并与N-型基区(1)形成肖特基接触，另外一个所述发射极(9)连接的接触金属深入到对应的P型基区(2)的下表面且其端部由P型半导体包覆形成肖特基二极管；

位于所述N-型基区(1)下表面的N+缓冲层(3)；

位于所述N+缓冲层(3)下表面的背P+发射区(4)。

2.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT，其特征在于：所述新型沟槽IGBT还包括位于多晶栅(7)与N-型基区(1)、P型基区(2)和N+集电区(5)之间的栅氧化层(6)。

3.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT，其特征在于：所述新型沟槽IGBT还包括位于所述多晶栅(7)上表面的栅电极(10)和位于所述背P+发射区(4)下表面的集电极(8)。

4.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT，其特征在于：所述接触金属采用钛、镍或铂材料。