[实用新型]一种温度自动控制的药液处理装置有效
申请号: | 201621245675.3 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN206364041U | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 张淋;郑严严;韩方亚 | 申请(专利权)人: | 苏州宝馨科技实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,贾允 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 自动控制 药液 处理 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池湿法处理设备领域,尤其涉及一种温度自动控制的药液处理装置。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片是一种能量转换的光电元件,它可以在太阳光的照射下,把光的能量转换成电能,从而实现光伏发电。
根据材料的不同,太阳能电池可以分为硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米太阳能电池及有机太阳能电池等,其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的太阳能电池,在应用中居主导地位。
制造硅太阳能电池的一般方法是首先将表面干净的P型或者N型硅片首先经过制绒工序形成绒面结构;其次在硅片表面扩散制结,形成N+或者P+的发射极,经过湿法刻蚀去掉硅片侧面和背面的扩散层;然后在其正表面再形成一层具有减反射功能的SiN薄膜;最后在硅片正背面分别制作金属电极,经过烧结过程形成晶硅太阳能电池。其中,扩散制结时产生杂质磷或硼,磷或硼会不可避免的扩散至硅片侧面和背面,最终导致短路。因此,必须对太阳能电池硅片侧面和背面的掺杂硅进行刻蚀,以去除硅片侧面和背面的扩散层。同时扩散制结还会在扩散层表面形成磷硅或硼硅玻璃,影响电池效率,因此也需要去除。湿法刻蚀一般采用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液去除硅片各个表面的磷硅或硼硅玻璃并且去除电池侧面和背面的扩散层。
在太阳能电池制备过程中,制绒、刻蚀、清洗等工序均涉及到化学处理的槽体,槽体中盛放药液,通过药液的缓慢流动实现对电池片的制绒、刻蚀或清洗,但现有的药液处理装置的温度不能得到很好控制,且药液使用量较大。
综上,研发一种太阳能电池制程中的温度自动控制的药液处理装置,解决制程过程中的温度不可控和能源消耗较大的技术问题,显得格外重要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有的太阳能电池制程过程的温度不可控和能源消耗较大的缺陷。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种温度自动控制的药液处理装置,包括主体框架,所述主体框架内设置有储液槽、处理槽和泵,所述储液槽与所述泵的入口连通,所述泵的出口与所述处理槽连通,所述储液槽、所述处理槽和所述泵组成一个液体循环系统,所述主体框架内还设置有温度自动控制装置,所述温度自动控制装置包括热交换器、加热装置和温度采集装置,所述热交换器、所述加热装置和所述温度采集装置分别与一电脑控制装置电连接;所述热交换器设置在所述处理槽与所述泵的出口之间,所述加热装置和所述温度采集装置均设置在所述储液槽内。
进一步地,所述温度采集装置的电路输出端与所述电脑控制装置的电路输入端相连,所述电脑控制装置的电路输出端分别与所述加热装置的电路输入端和所述热交换器的电路输入端相连。
进一步地,所述储液槽通过吸液管路与所述泵的入口连通,所述泵的出口通过排液管路与所述热交换器的一端连通,所述热交换器的另一端通过喷管与所述处理槽连通。
进一步地,所述处理槽通过回液管路与所述储液槽连通。
进一步地,所述处理槽设置在所述储液槽的上方。
具体地,所述加热装置为加热棒。
具体地,所述温度采集装置为温度传感器。
本实用新型的温度自动控制的药液处理装置,具有如下有益效果:
1、本实用新型通过温度自动控制装置控制处理槽内的温度,保证太阳能电池制程的工作温度范围和保持制程的温度均匀。
2、本实用新型的加热装置和温度采集装置均设置在储液槽的内部,采用浸没式加热设计,能够减少药水容量,减少工艺过程中的能源损失。
3、本实用新型的储液槽、泵、处理槽和热交换器组成一个药液循环系统,使储液槽和处理槽内的药液不断循环利用,进一步减少药水容量及能源的消耗。
4、本实用新型结构简单、操作方便。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它附图。
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的原理图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州宝馨科技实业股份有限公司,未经苏州宝馨科技实业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621245675.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:网络直播方法及装置
- 下一篇:一种信息处理方法及处理程序装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的