[实用新型]一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED有效

申请号：	201621252839.5	申请日：	2016-11-22
公开（公告）号：	CN206322727U	公开（公告）日：	2017-07-11
发明（设计）人：	李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚	申请（专利权）人：	山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号：	H01L33/30	分类号：	H01L33/30;H01L33/12;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/02
代理公司：	济南金迪知识产权代理有限公司37219	代理人：	王楠
地址：	261061 ***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	一种 gaas 改良窗口结构黄绿 led
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【权利要求书】：

1.一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型(Al_x2Ga_1-x2)_y2In_1-y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层，Bragg反射镜层为AlGaAs或AlAs，其中0≤x2，y2≤1。

2.根据权利要求1所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，所述GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层的N型掺杂源为Si₂H₆；所述AlInP上限制层和P型(Al_x2Ga_1-x2)_y2In_1-y2P第一窗口层的掺杂源均为Cp₂Mg，P型GaP第二窗口层的P型掺杂源为Cp₂Mg或CBr₄。

3.根据权利要求1所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，所述GaAs低温缓冲层的厚度为0.5-1um；

所述Bragg反射镜层的循环对数为10-20对。

4.根据权利要求3所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，所述GaAs低温缓冲层的厚度为0.5um；

所述Bragg反射镜层的循环对数为15对。

5.根据权利要求1所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，所述AlInP下限制层的厚度为0.5-3um；

所述的多量子阱发光区为阱(Al_x1Ga_1-x1)_y1In_1-y1P/垒(Al_x1Ga_1-x1)_y1In_1-y1P(0≤x1，y1≤1)多量子阱发光区，多量子阱发光区的厚度为0.1-0.3um，x1＝0.1，y1＝0.4；

所述的AlInP上限制层的厚度为0.1-3um。

6.根据权利要求5所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，所述AlInP下限制层的厚度为2.5um；

所述的多量子阱发光区的厚度为0.1um；

所述的AlInP上限制层的厚度为1um。

7.根据权利要求1所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，所述P型(Al_x2Ga_1-x2)_y2In_1-y2P第一窗口层的x2为0.3-0.5，y2为0.4-0.6，第一窗口层的厚度为0.01-0.5um。

8.根据权利要求7所述的GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED，其特征在于，所述P型(Al_x2Ga_1-x2)_y2In_1-y2P第一窗口层的x2为0.35，y2为0.5，第一窗口层的厚度为0.3um。