[实用新型]发光二极管支架结构改良有效

专利信息
申请号: 201621255637.6 申请日: 2016-11-17
公开(公告)号: CN206210844U 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 肖彪;蒋维露 申请(专利权)人: 深圳市明格科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/60
代理公司: 汕头市南粤专利商标事务所(特殊普通合伙)44301 代理人: 余飞峰
地址: 518000 广东省深圳市龙华新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 支架 结构 改良
【权利要求书】:

1.一种发光二极管支架结构改良,该发光二极管支架系用以供至少一发光二极管芯片设置,其特征在于:包括:

至少二电极,相互间隔设置,该二电极上具有一可供该发光二极管芯片设置之固晶面;

一塑料碗杯,形成于该二电极上,该塑料碗杯自上表面凹设有环设于该二电极上之凹杯,使该二电极之固晶面部分地暴露于该凹杯中,该凹杯具有相对的一第一反射壁与一第二反射壁,该第一反射壁与第二反射壁分别由该二电极朝该塑料碗杯之上表面的方向且朝彼此相反的方向延伸,所述该第一反射壁与该二电极的固晶面形成一第一夹角,该第二反射壁与该二电极的固晶面形成一第二夹角,且该第一夹角的角度与该第二夹角的角度不相等。

2.如权利要求1所述发光二极管支架结构改良,其特征在于:该第一反射壁自该固晶面朝该塑料碗杯之上表面的距离与该第二反射壁自该固晶面朝该塑料碗杯之上表面的距离不相等。

3.如权利要求2所述发光二极管支架结构改良,其特征在于:该第一反射壁之表面积与该第二反射壁之表面积不相等。

4.如权利要求1所述发光二极管支架结构改良,其特征在于:该第一夹角的角度大于该第二夹角的角度。

5.如权利要求1所述发光二极管支架结构改良,其特征在于:该凹杯进一步更包含有有一第一延伸壁,该第一延伸壁系位于该第一反射壁、该第二反射壁与该二电极之固晶面间。

6.如权利要求1所述发光二极管支架结构改良,其特征在于:该凹杯进一步更包含有有一第二延伸壁,该第二延伸壁系位于该第一反射壁、该第二反射壁与该塑料碗杯之上表面间。

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