[实用新型]低阻值的有机发光显示器件有效
申请号: | 201621258478.5 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN206210800U | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 谢志生;苏君海;宋小进;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻值 有机 发光 显示 器件 | ||
1.一种低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,包括:TFT基板、阳极层、有机发光层、阴极层和阴极连接线,所述阳极层设置于所述TFT基板上,所述阴极层与所述阳极层间隔设置,所述有机发光层设置于所述阳极层和所述阴极层之间,所述阴极层的面积大于所述阳极层的面积且大于所述有机发光层的面积,所述阴极层的外侧边缘与所述TFT基板之间设置有绝缘层,所述绝缘层开设有若干通孔,所述阴极层朝向所述有机发光层的一面凸起设置有第一加厚层,所述第一加厚层延伸并至少部分穿设所述通孔与所述阴极连接线连接,所述第一加厚层在垂直于所述TFT基板的方向上对齐于所述阴极连接线。
2.根据权利要求1所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述第一加厚层的宽度大于所述阴极连接线的宽度。
3.根据权利要求2所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述绝缘层开设有两列所述通孔,两列所述通孔相互对齐。
4.根据权利要求3所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述第一加厚层的宽度大于两列所述通孔之间的最大距离。
5.根据权利要求3所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述阴极层朝向所述有机发光层的一面的两侧分别凸起设置有所述第一加厚层。
6.根据权利要求1所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,两侧所述第一加厚层之间的间距大于所述有机发光层的宽度。
7.根据权利要求1所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述第一加厚层具有梯形截面。
8.根据权利要求7所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述第一加厚层的宽度由靠近所述阴极连接线的一端向靠近所述阴极层的一端逐渐减小。
9.根据权利要求6所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述阴极层背向所述有机发光层的一面还凸起设置有第二加厚层,所述第二加厚层在垂直于所述TFT基板的方向上对齐于所述阴极连接线。
10.根据权利要求9所述的低阻值的有机发光显示器件,其特征在于,所述阴极层与所述第一加厚层及所述第二加厚层一体设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的