[实用新型]太阳能电池及太阳能电池模块有效

专利信息
申请号: 201621266900.1 申请日: 2016-11-24
公开(公告)号: CN207250530U 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 布莱恩·E·哈丁;艾瑞克·索尔;迪埃·苏赛诺;杰西·J·欣李奇;黄钰淳;林于唐;史蒂芬·T·康纳;丹尼尔·J·赫尔布什;克雷格·H·彼得斯 申请(专利权)人: 普兰特光伏有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/05
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 王莹,王朋飞
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 模块
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括:

硅基层,其具有前表面和后表面;

至少一个前介质层,其直接在硅基层的前表面的至少一部分上;

多条精细网格线,其在硅基层的前表面的一部分上;

至少一个前汇流层,其与多条精细网格线的至少一者电接触;

硅基层后表面至少一部分上的铝粒子层,铝粒子层包括铝粒子;以及

硅基层后表面一部分上的后标志层,其中后标志层包括:

硅基层后表面一部分上的改良铝粒子层;以及

直接在改良铝粒子层的至少一部分上的改良插层,其中改良插层具有可软焊表面。

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,改良插层包括两个子层:

直接在改良铝粒子层的至少一部分上的子插层;以及

直接在子插层的至少一部分上的贵金属子层;

其中,可软焊表面包括贵金属子层。

3.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,改良插层包括两个子层:

富铋子层,其直接在改良铝粒子层上;

富银子层,其直接在富铋子层上。

4.如权利要求1所述的太阳能电池,进一步包括:至少一个后介质层,其直接在硅基层的后表面的至少一部分上。

5.如权利要求1所述的太阳能电池,进一步包括:第一后介质层,其包括直接在硅基层后表面的至少一部分上的氧化铝,以及第二后介质层,其包括直接在第一后介质层上的氮化硅。

6.如权利要求1所述的太阳能电池,进一步包括:固态铝-硅共晶层,其直接在硅基层上。

7.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,相邻硅基层后表面的一部分硅基层进一步包括后表面场。

8.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,后标志层的一部分具有可变厚度。

9.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,后标志层的一部分具有大于12μm的平均峰至谷高度。

10.如权利要求1所述的太阳能电池,进一步包括:直接在改良插层的可软焊表面的至少一部分上的标志带。

11.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,改良铝粒子层的一部分具有可变厚度。

12.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,改良铝粒子层的一部分具有大于12μm的平均峰至谷高度。

13.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,硅基层包括单晶硅晶片,其具有p型基底或n型基底。

14.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,硅基层包括多晶硅晶片,其具有p型基底或n型基底。

15.一种太阳能电池模块,包括:

前片,其具有前表面和后表面;

前片后表面上的前封装层;

前封装层上的第一硅太阳能电池和第二硅太阳能电池,每个硅太阳能电池包括:

硅基层,其具有前表面和后表面;

至少一个前介质层,其直接在硅基层的前表面的至少一部分上;

多条精细网格线,其在硅基层的前表面的一部分上;

至少一个前汇流层,其与多条精细网格线的至少一者电接触;

硅基层后表面至少一部分上的铝粒子层,铝粒子层包括铝粒子;以及

硅基层后表面一部分上的后标志层,其中后标志层包括:

硅基层后表面一部分上的改良铝粒子层;以及

直接在改良铝粒子层的至少一部分上的改良插层,改良插层具有可软焊表面;以及

第一电池互连,包括:

第一标志带,其与第一硅太阳能电池的前汇流层和第二硅太阳能电池的后标志层二者电接触;

后片,其具有前表面和后表面,后片的后表面暴露至外界环境;

后片前表面上的后封装层,其中,后封装层的第一部分在第一硅太阳能电池和第二硅太阳能电池上,并且后封装层的第二部分在前封装层上。

16.如权利要求15所述的太阳能电池模块,其中,改良插层包括两个子层:

直接在改良铝粒子层的至少一部分上的子插层;以及

直接在子插层的至少一部分上的贵金属子层。

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