[实用新型]一种无源混频器

权利要求书

1.一种无源混频器，其特征在于：包括跨导放大级电路(1)、开关混频级电路(2)和跨阻放大级电路(3)；

所述跨导放大级电路(1)增大跨导值，接入射频电压信号，通过电流复用将射频电压信号转化为射频电流信号；

所述开关混频级电路(2)与所述跨导放大级电路(1)连接，接入本振信号，将射频电流信号与本振信号进行调制混频，并对混频后的信号进行滤波，输出中频电流信号；

所述跨阻放大级电路(3)与所述开关混频级电路(2)连接，通过辅助运放单元BP和辅助运放单元BN降低输入阻抗、增大等效跨导值和增益，将中频电流信号转换成中频电压信号输出。

2.根据权利要求1所述一种无源混频器，其特征在于：所述跨导放大级电路(1)包括输入跨导模块(4)、共模反馈模块(5)和偏置模块(6)，所述共模反馈模块(5)和偏置模块(6)均与所述输入跨导模块(4)连接；所述共模反馈模块(5)用于向所述输入跨导模块(4)输出稳定静态电压；所述偏置模块(6)用于接入外部电压，向所述输入跨导模块(4)输出偏置电流；所述输入跨导模块(4)用于根据偏置电流和稳定静态电压稳定运行，接入射频电压信号，将射频电压信号转化为射频电流信号。

3.根据权利要求2所述一种无源混频器，其特征在于：所述输入跨导模块(4)包括NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、电容C1～C4和电阻R1～R4，所述NMOS管M1的栅极经电容C1与信号输入正极端Vin1连接，还经电阻R1接入偏置电压vb03；所述NMOS管M1的漏极与PMOS管M3的漏极连接；所述NMOS管M1的源极与所述偏置模块(6)连接；所述NMOS管M2的栅极经电容C2与信号输入负极端Vin2连接，还经电阻R2接入偏置电压vb03；所述NMOS管M2的漏极与PMOS管M4的漏极连接，还与所述开关混频级电路(2)连接；所述NMOS管M2的源极与所述偏置模块(6)连接；所述PMOS管M3的栅极经电容C3与信号输入正极端Vin1连接，还经电阻R3接入偏置电压vb02；所述PMOS管M3的漏极与所述开关混频级电路(2)连接；所述PMOS管M4的源极与所述偏置模块(6)连接；所述PMOS管M4的栅极经电容C4与信号输入负极端Vin2连接，还经电阻R4接入偏置电压vb02；所述PMOS管M3的源极与所述偏置模块(6)连接；所述PMOS管M7的栅极接入偏置电压vb01，所述PMOS管M7的源极接入电压VDD。

4.根据权利要求3所述一种无源混频器，其特征在于：所述共模反馈模块(5)包括NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10，PMOS管M11、PMOS管M12、电阻R5和电阻R6，所述NMOS管M8的栅极经电阻R5分别与所述NMOS管M1和PMOS管M3的漏极连接，所述NMOS管M8的栅极还经电阻R6分别与所述NMOS管M2和PMOS管M4的漏极连接，其漏极与所述PMOS管M11的漏极连接，其源极与所述NMOS管M10的漏极连接；所述NMOS管M9的栅极接入偏置电压vcm，其源极与所述NMOS管M10的漏极连接，其漏极分别与PMOS管M12的漏极和偏置模块(6)连接；所述NMOS管M10的栅极接入偏置电压vb05，其源极接地；所述PMOS管M11的栅极与所述PMOS管M12的栅极连接，所述PMOS管M11的栅极还与其漏极连接，所述PMOS管M12的栅极还与其漏极连接，所述PMOS管M11和PMOS管M12的源极均接入电压VDD。

5.根据权利要求4所述一种无源混频器，其特征在于：所述偏置模块(6)包括NMOS管M5、NMOS管M6和PMOS管M7，所述NMOS管M5的漏极分别与所述NMOS管M1的源极和NMOS管M2的源极连接，所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M9的漏极连接，所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均接地，所述NMOS管M6的栅极接入偏置电压vb04，所述NMOS管M6的漏极分别与所述NMOS管M1的源极和NMOS管M2的源极连接。