[实用新型]IGBT的驱动保护电路及电机驱动控制系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及驱动控制技术领域，特别涉及一种IGBT的驱动保护电路及一种电机驱动控制系统。

背景技术

在传统的基于1ED020I12FA2驱动芯片的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)驱动电路中，驱动芯片传输延迟时间短，共模抑制能力强，其具有可靠的IGBT短路保护及故障回馈功能，并且可实现上、下桥臂互锁的功能，可以可靠地开启和关断IGBT。

然而在上述的驱动电路中，IGBT及其驱动电路很容易发生损坏，IGBT及其驱动电路的安全性和可靠性还有待提高。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种IGBT的驱动保护电路，能够有效地防止IGBT及其驱动电路发生损坏，提高了IGBT及其驱动电路的安全性和可靠性。

本实用新型的第二个目的在于提出一种电机驱动控制系统。

为达到上述目的，本实用新型提出了一种IGBT的驱动保护电路，其包括：驱动芯片，所述驱动芯片用以提供第一驱动电源和第二驱动电源，并输出驱动信号；推挽放大单元，所述推挽放大单元根据所述第一驱动电源和所述第二驱动电源对所述驱动信号进行推挽放大处理以通过输出驱动电压驱动所述IGBT的开通或关断；有源箝位单元，所述有源箝位单元连接在所述IGBT的C极与所述IGBT的G极之间，所述有源箝位单元在所述IGBT的电流下降时对所述IGBT的C极与E极之间的电压进行箝位；推挽箝位单元，所述推挽箝位单位连接在所述IGBT的G极与所述推挽放大单元的输出端之间，所述推挽箝位单元用以限制所述推挽放大单元中三极管所承受的BE反压。

根据本实用新型的IGBT的驱动保护电路，推挽放大单元可根据驱动芯片提供的第一驱动电源和第二驱动电源对驱动芯片输出的驱动信号进行推挽放大处理，以输出驱动电压驱动IGBT的开通或关断，通过设置有源箝位单元，在IGBT的电流下降时能够对IGBT的C极与E极之间的电压进行箝位，并通过设置推挽箝位单元来限制推挽放大单元中三极管所承受的BE反压，能够有效地防止IGBT及其驱动电路发生损坏，提高了IGBT及其驱动电路的安全性和可靠性。

另外，根据本实用新型提出的IGBT的驱动保护电路还可以具有如下附加的技术特征：

具体地，所述有源箝位单元包括：第一双向TVS管，所述第一双向TVS管的一端与所述IGBT的G极相连；第一单向TVS管，所述第一单向TVS管的阳极与所述第一双向TVS管的另一端相连；第二单向TVS管，所述第二单向TVS管的阳极与所述第一单向TVS管的阴极相连，所述第二单向TVS管的阴极与所述IGBT的C极相连。

具体地，所述推挽放大单元包括：第一三极管，所述第一三极管的基极通过第一电阻与所述驱动芯片的输出端相连，所述第一三极管的集电极与所述第一驱动电源相连；第二三极管，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极相连，所述第二三极管的集电极与所述第二驱动电源相连，所述第二三极管的发射极与所述第一三极管的发射极相连。

进一步地，所述推挽箝位单元包括：第一箝位二极管，所述第一箝位二极管的阳极分别与所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极相连，所述第一箝位二极管的阴极与所述IGBT的G极相连；第二箝位二极管，所述第二箝位二极管的阴极分别与所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极相连，所述第二箝位二极管的阳极与所述IGBT的G极相连。

进一步地，所述IGBT的驱动保护电路还包括：短路箝位二极管，所述短路箝位二极管的阳极与所述IGBT的G极相连，所述短路箝位二极管的阴极与所述第一驱动电源相连，所述短路箝位二极管在所述IGBT短路时限制所述IGBT的G极与E极之间的电压。

进一步地，所述IGBT的驱动保护电路还包括：短路保护电阻，所述短路保护电阻连接在所述驱动芯片的短路保护端与所述IGBT的C极之间，所述短路保护电阻在所述IGBT导通时降低所述IGBT的CE极饱和压降。

其中，所述短路保护电阻的阻值根据所述IGBT的CE极饱和压降的大小设定。

为达到上述目的，本实用新型还提出了一种电机驱动控制系统，其包括本实用新型提出的IGBT的驱动保护电路。

根据本实用新型的电机驱动控制系统，能够有效地防止IGBT及其驱动电路发生损坏，提高了IGBT及其驱动电路的安全性和可靠性。

附图说明