[实用新型]适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路

权利要求书

1.一种适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于包括：

一高压供电电路本体，所述高压供电电路本体单向导通并连接一外围电路，用于提供一供电电压给所述外围电路的一供电电容充电；其特征在于，还包括：

一迟滞调整模块，所述迟滞调整模块的输入端连接所述外围电路以采样输入电压，所述迟滞调整模块的输出端连接所述高压供电电路本体；所述迟滞调整模块根据其输入端的电压峰值输出一迟滞阈值调整信号，所述高压电路本体根据所述迟滞阈值调整信号调节所述供电电压的放电门槛值。

2.根据权利要求1所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述高压供电电路本体包括：

一高压结型场效应晶体管，所述高压结型场效应晶体管的栅极和漏极连接所述外围电路；

一第一MOS管，所述第一MOS管的漏极连接所述高压结型场效应晶体管的源极；

一单向导通件，所述单向导通件的输入端连接于所述第一MOS管的源极，输出端连接于所述供电电容的上极板，所述供电电容的下极板接地；

一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述高压结型场效应晶体管的源极和所述第一MOS管的栅极之间；

一第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极接地；以及

一迟滞比较器，所述迟滞比较器的正相输入端连接所述单向导通件的输出端，所述迟滞比较器的反相输入端连接一参考电压输入端，所述迟滞比较器的控制输入端连接所述迟滞调整模块的输出端，所述迟滞比较器的输出端连接所述第二MOS管的栅极。

3.根据权利要求2所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述单向导通件采用一第三MOS管，所述第三MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极，所述第三MOS管的漏极连接所述供电电容的上极板和所述迟滞比较器的正相输入端，所述第三MOS管的栅极连接所述第一MOS管的栅极。

4.根据权利要求3所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述迟滞调整模块包括：依次串联在所述迟滞调整模块的输入端与输出端之间的一第一开关、一第二开关和一峰值比较器，所述峰值比较器的正相输入端连接所述第二开关，所述峰值比较器的反相输入端接收一定值电压，所述峰值比较器的输出端连接所述迟滞比较器；

还包括一第一反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第一开关，所述第一反相器的输出端连接所述第二开关；

一第一调整电容，所述第一调整电容一端连接于所述第一开关和所述第二开关之间，所述第一调整电容另一端接地；以及

一第二调整电容，所述第二调整电容一端连接于所述第二开关和所述峰值比较器之间，所述第二调整电容另一端接地。

5.根据权利要求4所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述外围电路包括：一交流电源；

一整流桥，所述整流桥的输入端连接所述交流电源的输出端，所述整流桥的输出端连接所述高压结型场效应晶体管的漏极；

一输入电容，所述输入电容的上极板连接所述整流桥的输出端，所述输入电容的下极板接地并连接所述高压结型场效应晶体管的栅极；

所述供电电容；

一变压器，所述变压器的原边高端连接所述整流桥的输出端；

一第四MOS管，所述第四MOS管的漏极连接所述变压器的原边低端，源极连接所述迟滞调整模块的输入端；

一采样电阻，所述采样电阻一端连接于所述第四MOS管源极，所述采样电阻另一端接地；以及

一输出电容，所述输出电容与所述变压器的副边并联；所述输出电容与一LED负载并联。

6.根据权利要求5所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述外围电路还包括一输出二极管，所述输出二极管的正极连接所述变压器的副边高端；所述输出二极管的负极连接所述输出电容。

7.根据权利要求6所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，还包括一开关信号产生电路，所述开关信号产生电路的输出端连接所述第四MOS管的栅极。

8.根据权利要求4所述的适用于LED驱动芯片的自适应高压供电电路，其特征在于，所述迟滞比较器包括：

一第一电流源，所述第一电流源的输入端连接一等电位端；

一第五MOS管，所述第五MOS管的源极连接所述第一电流源的输出端，所述第五MOS管的栅极连接所述参考电压输入端；

一第六MOS管，所述第六MOS管的源极连接所述第一电流源的输出端，所述第六MOS管的栅极连接所述第三MOS管的漏极；

一第七MOS管，所述第七MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极，所述第七MOS管的源极接地；

一第八MOS管，所述第八MOS管的漏极连接所述第六MOS管的漏极，所述第八MOS管的源极接地，所述第八MOS管的栅极连接所述第七MOS管的栅极；

一第九MOS管，所述第九MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极；

一第十MOS管，所述第十MOS管的漏极连接所述第九MOS管的源极，所述第十MOS管的源极接地，所述第十MOS管的栅极连接所述第七MOS管的栅极；

一第十一MOS管，所述第十一MOS管的漏极连接所述第九MOS管的源极，所述第十一MOS管的栅极连接所述迟滞调整模块的输出端；

一第十二MOS管，所述第十二MOS管的漏极连接所述第十一MOS管源极，所述第十二MOS管的源极接地，所述第十二MOS管的栅极连接所述第七MOS管的栅极；

一第二电流源，所述第二电流源的输入端连接所述等电位；

一第十三MOS管，所述第十三MOS管的漏极连接所述第二电流源的输出端，所述第十三MOS管的源极接地，所述第十三MOS管的栅极连接所述第六MOS管的漏极；

一第二反相器，所述第二反相器的输入端连接所述第二电流源的输出端，所述第二反相器的输出端连接所述第九MOS管的漏极；以及

一第三反相器，所述第三反相器的输入端连接所述第二反相器的输出端，所述第三反相器的输出端连接所述第二MOS管的栅极。