[实用新型]高电子迁移率晶体管HEMT器件

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管HEMT器件，其特征在于，包括：

半导体主体，包括异质结结构，所述异质结结构形成所述HEMT器件的主导电沟道；

在所述半导体主体上的电介质层；

在一个方向上彼此对齐的栅极电极、漏极电极和源极电极，其中所述漏极电极面向所述栅极电极的第一侧延伸，并且所述源极电极面向所述栅极电极的第二侧延伸，所述第二侧在所述一个方向上与所述第一侧相对；以及

辅助沟道层，所述辅助沟道层在所述异质结结构之上在所述栅极电极与所述漏极电极之间延伸，与所述漏极电极电接触，与所述栅极电极间隔开，并且形成用于电荷载流子在所述源极电极与所述漏极电极之间流动的除了所述主导电沟道之外的导电路径。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述辅助沟道层沿所述一个方向以等于或大于0.5μm的距离与所述栅极电极的所述第一侧间隔开。

3.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述辅助沟道层是具有N型掺杂的氮化镓的层。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述辅助沟道层包括：

氮化镓的第一层，具有被包括在5％与30％之间的铝浓度；和

氮化铝镓的第二层，具有被包括在10％与40％之间的铝浓度，所述氮化铝镓的第二层在所述氮化镓的第一层之上延伸。

5.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，

所述异质结结构包括：第一材料的沟道层和第二材料的势垒层，所述势垒层在所述沟道层之上延伸，所述第一材料和所述第二材料具有不同的带隙；且

所述势垒层包括：

第一中间层，包括具有被包括在10％与40％之间的铝浓度的氮化铝镓，以及

第二中间层，所述第二中间层在所述第一中间层之上延伸，并且包括具有被包括在5％与30％之间的铝浓度的氮化铝镓。

6.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，进一步包括场板，所述场板在所述电介质层之上延伸并且至少部分地与所述辅助沟道层竖直重叠。

7.根据权利要求6所述的HEMT器件，其特征在于，所述场板是被电耦合至所述栅极电极的栅极场板或者是被电耦合至所述源极电极的源极场板。

8.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，进一步包括场板，所述场板在所述电介质层之上延伸，其中所述场板沿所述一个方向从所述辅助沟道层横向偏移。

9.根据权利要求8所述的HEMT器件，其特征在于，所述场板沿所述一个方向以等于或小于0.5μm的距离从所述辅助沟道层横向偏移。

10.一种高电子迁移率晶体管HEMT器件，其特征在于，包括：

半导体主体，包括异质结结构，所述异质结结构形成所述HEMT器件的主导电沟道；

在所述半导体主体上的电介质层；

延伸到所述电介质层中的栅极电极、漏极电极和源极电极，其中所述漏极电极面向所述栅极电极的第一侧，并且所述源极电极面向所述栅极电极的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；以及

辅助沟道层，所述辅助沟道层在所述电介质层中并且在所述异质结结构之上在所述栅极电极与所述漏极电极之间延伸，与所述漏极电极电接触，通过所述电介质层的一部分与所述栅极电极间隔开，并且形成用于电荷载流子在所述源极电极与所述漏极电极之间流动的除了所述主导电沟道之外的导电路径。

11.根据权利要求10所述的HEMT器件，其特征在于，进一步 包括栅极场板，所述栅极场板接触所述栅极电极并且在所述电介质层之上延伸，其中竖直平面延伸穿过所述栅极场板，所述竖直平面垂直于所述半导体主体的由所述电介质层接触的顶表面，并且延伸穿过所述辅助沟道层的面向所述栅极电极的侧壁。

12.根据权利要求10所述的HEMT器件，其特征在于，进一步包括栅极场板，所述栅极场板接触所述栅极电极并且在所述电介质层之上延伸，其中所述栅极场板与竖直平面间隔开，所述竖直平面垂直于所述半导体主体的由所述电介质层接触的顶表面，并且延伸穿过所述辅助沟道层的面向所述栅极电极的侧壁。