[实用新型]一种EMI特性优良的桥堆

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种桥堆，具体是一种EMI特性优良的桥堆。

背景技术

目前市面上整流桥堆产品设计和生产时用的同一芯片同一规格材料的四个硅芯片二极管作桥式组成的整流器件，外用绝缘塑料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。一般整流桥堆有四个引出脚，其中两个引脚接交流电的输入端，另外两个脚接直流电的输出端。两只二极管正负极的连接点是交流输入端，两只二极管负极的连接点是桥堆直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”。在将整流桥堆接入电路时，输入电流线路上往往会产生传导干扰，严重影响输出电压的波形，而且发热严重。

实用新型内容

本实用新型提供了一种EMI特性优良的整流桥堆。该整流桥堆改变了传统的用四个同等尺寸同等规格的硅芯片二极管的设计方法，本实用新型将交流电的正负半周两个开通的D1和D2二极管芯片采用普通的慢速度的二极管芯片，但将交流电的正负半周两个关断的D3和D4二极管芯片采用超快速或者是压降很低的肖特基二极管芯片。本实用新型巧妙地利用了交流电的正负半周和二极管的开通及关断的时间不同的特性，从而大大地提高了整流桥堆的EMI特性，即降低了整流桥堆的温度，又降低了谐波，还提高了整流桥堆的转换效率，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种EMI特性优良的桥堆，包括慢速二极管D1和快速二极管D4，慢速二极管D1的正极和快速二极管D4的负极相连接，接到交流电的输入端；慢速二极管D1的负极和慢速的二极管D2的负极相连接，接到直流输出端正极，慢速二极管D2的正极和快速二极管D3的负极相连接，接到交流电的输入的另外一端；快速二极管D4的正极和快速二极管D3的正极相连接，接到直流输出端负极。

作为本实用新型再进一步的方案：快速二极管D3和快速二极管D4采用超快速或者是压降很低的肖特基二极管芯片。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型巧妙地利用了交流电的正负半周和二极管的开通及关断的时间不同的特性，从而大大地提高了整流桥堆的EMI特性，即降低了整流桥堆的温度，又降低了谐波，还提高了整流桥堆的转换效率。

附图说明

图1为EMI特性优良的桥堆的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种EMI特性优良的桥堆，包括慢速二极管D1和快速二极管D4，慢速二极管D1的正极和快速二极管D4的负极相连接，接到交流电的输入端；慢速二极管D1的负极和慢速的二极管D2的负极相连接，接到直流输出端正极，慢速二极管D2的正极和快速二极管D3的负极相连接，接到交流电的输入的另外一端；快速二极管D4的正极和快速二极管D3的正极相连接，接到直流输出端负极；快速二极管D3和快速二极管D4采用超快速或者是压降很低的肖特基二极管芯片。

本实用新型的工作原理是：当交流电的正半周到来时慢速的二极管D1开始缓慢导通，这样缓解了浪涌电流对负载的冲击；二极管D1导通后经过负载电阻RZ后，再经过快速二极管D3（或者低正向压降的肖特基二极管）快速导通流回到市电电网中，这样有效地防止了整流桥堆在关断时的拖尾现象。

同理，当交流电的负半周到来时慢速的二极管D2开始缓慢导通，这样缓解了浪涌电流对负载的冲击；二极管D2导通后经过负载电阻RZ后，再经过快速二极管D4（或者低正向压降的肖特基二极管）快速导通流回到市电电网中，这样有效地防止了整流桥堆在关断时的拖尾现象。

本实用新型在交流电的正负半周二极管都能够缓慢开通，缓解了浪涌电流对负载的冲击，而造成的突波现象。而本实用新型在交流电的正负半周二极管都能够得到快速地关断，这样有效地防止了整流桥堆在关断时的拖尾现象。使得本实用新型的整流桥堆产品不但具有良好的EMI特性，而且温度特性也非常好，抗雷击和浪涌电流的能力大大增强，而成本增加甚微。