[实用新型]基板处理系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理系统，更为具体地涉及一种基板处理系统，所述基板处理系统稳定地保持完成研磨工艺后的基板的湿式(wetting)状态，并且可减少用于使得基板保持为湿式状态的流体的使用量。

背景技术

半导体元件由微细的电路线高度密集地制造而成，因此，晶元表面必须进行相应的精密研磨。为了对晶元进行更加精细化的研磨，进行机械研磨及化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。

化学机械研磨(CMP)工艺是一种为了实现全面平坦化与由用于形成电路的接触(contact)/布线膜分离以及高度集成的元件化而产生的晶元表面粗糙度的改善等而对晶元的表面进行精细研磨加工的工艺，所述全面平坦化是清除在半导体元件制造过程中反复进行掩蔽(masking)、刻蚀(etching)及布线工艺等的同时生成的晶元表面的凹凸而导致的单元(cell)区域与周围电路区域间的高度差。

所述CMP工艺通过如下形式完成，在晶元的工艺面与研磨垫相面对的状态下，对所述晶元加压，同时进行工艺面的化学研磨与机械研磨，并且经过以如下形式进行的清洗工艺：完成研磨工艺的晶元被载体头抓握，从而对附着于工艺面的异物进行清洗。

换句话说，如图1所示，通常地，晶元的化学机械研磨工艺通过如下形式完成，若在加载单元20将晶元供给于化学机械研磨系统X1，则在将晶元W紧贴于载体头S(S1、S2、S1'、S2')的状态下，在沿着规定的路径Po进行移送66-68的同时，在多个研磨平板P1、P2、P1'、P2'上进行化学机械研磨工艺。将进行化学机械研磨工艺的晶元W通过载体头S移送至卸载单元的放置架10，并且移送至进行接下来的清洗工艺的清洗单元X2，从而进行在多个清洗模块(module)70对附着于晶元W的异物进行清洗的工艺。

如上所述，在各个研磨平板P1、P2、P1'、P2'中完成研磨的晶元W通过沿着移送路径Po移动的载体头S来卸载到卸载单元的放置架10后，向清洗模块70移送，并得到清洗。

另外，具有的问题在于，如果完成研磨的晶元W沿着移送路径Po向卸载单元移送的途中得到干燥，则在晶元W的表面会产生水印或基板的安装部件受到损伤，由此，完成研磨的晶元W沿着移送路径Po移送的途中，晶元W需保持浸湿的状态。

为此，在现有的技术中提出过如下方案：在完成研磨的晶元W被移送至卸载单元的移送路径上安装用于保持基板的湿式状态(浸湿的状态)的流体(DIW)喷射装置或湿式浴装置(wetting bath)，完成研磨的晶元W向卸载单元移送之前，在预先设定的位置可被流体浸湿。

但是，在现有技术中，为了浸湿完成研磨的晶元W，换句话说，为了保持湿式状态，使得载体头的移动临时停止，由此会有晶元W的处理时间增加的问题，因此会有费用上升，收率低下的问题。

由此，最近进行能够稳定地保持完成研磨的晶元的湿式状态且为了节省费用而提高收率的各个种研究，但是仍存在不足，因此需要对此的开发。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种基板处理系统，其可稳定地保持完成研磨的基板的湿式状态，可防止因干燥引起的水印的产生及基板的安装部件的损伤。

特别地，本实用新型的目的在于，不停止基板的移送，可稳定地保持基板的湿的状态，防止因干燥引起的水印的产生及基板的安装部件的损伤。

此外，本实用新型的目的在于，减少用于保持基板的湿式状态的流体的使用量，可防止因流体引起的无意的的误差。

此外，本实用新型的目的在于，可节省费用，并提高收率。

此外，本实用新型的目的在于，完成研磨的基板向清洗部移送之前，将存在于基板的异物一次清除，从而能够提高清洗效率。

此外，本实用新型的目的在于，将残留在载体头的异物最小化。

根据用于达成上述的本实用新型的目的的本实用新型的优选实施例，基板处理系统包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；载体头，其将完成研磨工艺的基板沿着预先设定的移送路径，移动到设置于研磨部的卸载区域；湿式处理部，其沿着移送路径设置于研磨部，完成研磨工艺的基板沿着移送路径连续地移送期间将基板处理为湿式状态。

其目的在于，将完成化学机械研磨的基板向卸载区域移送时，稳定地保持基板的湿式状态，据此防止因基板干燥引起的水印的产生，并防止基板安装部件的损伤。