[实用新型]发光器件和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种发光器件和显示装置。

背景技术

随着显示技术的迅速发展，有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)在材料合成、器件制备以及工艺集成方面都有了质的飞跃。OLED具有高效率、高亮度、高对比度、低功耗、响应速度快、可实现柔性显示等诸多优点，可以说，OLED将成为下一代主流平板显示技术最有力的竞争者。特别是在有源矩阵显示领域，OLED为实现高分辨率、大面积、低功耗的显示器件开辟了新的出路。

为了提高有源矩阵有机电致发光器件(Active-matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)的开口率，AMOLED通常采用顶发射的结构。顶发射有机电致发光器件(Top Emitting Organic Light Emitting Diode，简称TEOLED)具有较强的微腔效应，因此对发光颜色具有较强的选择性，这样虽有利于提高色纯度和亮度，但会使发射光谱窄化，难于实现宽谱发射。因此白光顶发射有机电致发光器件(TopEmitting White-light Organic Light Emitting Diode，简称TEWOLED)的制备是OLED研究中的一个难点。

在现有技术的TEWOLED中，阳极与阴极之间形成谐振腔，由于阳极与阴极之间形成的谐振腔的腔长较短，导致了光的干涉增强，造成谐振腔效应增强，从而导致发射光的光谱窄化，降低了OLED的性能。

实用新型内容

本实用新型提供一种发光器件和显示装置，用于减弱发光器件中的谐振腔效应，从而实现发光器件的宽光谱发射，提高发光器件的性能。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种发光器件，包括衬底基板和设置于所述衬底基板上方的有源层、栅极层、源漏极层、第一电极层、有机材料层和第二电极层，所述有机材料层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第二电极层位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层位于所述源漏极层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极层和所述源漏极层位置对应设置，所述源漏极层的宽度大于或等于所述第一电极层的宽度，所述源漏极层和所述第二电极层之间形成谐振腔。

优选地，所述谐振腔的光程不等于k*2πλ，其中，k为正整数，λ为发射光的波长。

优选地，还包括：平坦化层和钝化层，所述平坦化层和所述钝化层位于所述源漏极层和所述第一电极层之间。

优选地，所述谐振腔的光程等于所述平坦化层的厚度与所述平坦化层的折射率的乘积、所述钝化层的厚度与所述钝化层的折射率的乘积、所述第一电极层的厚度与所述第一电极层的折射率的乘积、所述有机材料层的厚度与所述有机材料层的折射率的乘积之和。

优选地，所述源漏极层的材料为Mo或Ni。

优选地，所述第一电极层的材料为透明导电材料。

优选地，根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述源漏极层的厚度范围为至

优选地，所述第一电极层的厚度范围为至

优选地，所述平坦化层的厚度范围为至

本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述发光器件。

本实用新型的有益效果：

本实用新型所提供的发光器件和显示装置中，源漏极层和第二电极层之间形成谐振腔，第一电极层和源漏极层位置对应设置，且源漏极层的宽度大于或等于第一电极层的宽度，从而增加了谐振腔的腔长，减弱了谐振腔效应，从而实现了宽光谱发射，提高了发光器件的性能。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的一种发光器件的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的发光器件中的有机材料层的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一提供的发光器件的光谱示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的发光器件和显示装置进行详细描述。