[实用新型]一种硅片翻面装置有效
申请号: | 201621300106.4 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN206301828U | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 胡传明;刘祥 | 申请(专利权)人: | 安徽振兴光伏新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 六安众信知识产权代理事务所(普通合伙)34123 | 代理人: | 黎照西 |
地址: | 237000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 装置 | ||
1.一种硅片翻面装置,包括传送带、转运装置和双传送带,其特征在于:所述传送带一侧设有转运装置,所述传送装置顶部设有双传送带,所述转运装置由抽风管、吸盘、转轴、支架和抽风机组成,所述吸盘通过抽风管连接转轴,所述转轴安装在位于支架顶部一侧的座头上,所述支架内部设有连接位于支架底部的抽风机和抽风管的风管,所述双传送带之间设有供转运装置旋转的间隙。
2.根据权利要求1所述的一种硅片翻面装置,其特征在于,所述吸盘与传送带之间的距离不小于硅片的高度。
3.根据权利要求1所述的一种硅片翻面装置,其特征在于,所述转轴内部中空,其表面设有与抽风管连接的风孔。
4.根据权利要求1所述的一种硅片翻面装置,其特征在于,所述风管通过转轴连接抽风管。
5.根据权利要求1所述的一种硅片翻面装置,其特征在于,所述双传送带与传送带之间的距离不大于同一轴线上的相对两个吸盘之间的距离。
6.根据权利要求1所述的一种硅片翻面装置,其特征在于,所述双传送带之间的间隙小于硅片的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的