[实用新型]一种新型同步整流电路有效
| 申请号： | 201621300848.7 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN206211866U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 邱子键 | 申请（专利权）人： | 广东金莱特电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙)44231 | 代理人： | 叶永清 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 同步 整流 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型同步整流电路，其特征在于，包括整流MOS管和续流MOS管；所述的整流MOS管串接在变压器次级下端，栅极通过第一RC模块连接变压器次级上端；所述的续流MOS管反向串接变压器次级上端，栅极通过第二RC模块连接变压器次级下端。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的整流MOS管栅极与漏极之间串接第一负载电阻，所述第一负载电阻用于泄放整流MOS管截止时内部结电容储存的能量。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的续流MOS管栅极与源极之间串接第二负载电阻，所述第二负载电阻用于泄放续流MOS管截止时内部结电容储存的能量。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的第一RC模块与地之间串接第一稳压管，所述第一稳压管用于防止整流MOS管栅极电压过高。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的第二RC模块与地之间串接第二稳压管，所述第二稳压管用于防止续流MOS管栅极电压过高。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的所述的整流MOS管源极与漏极两端并联第一削尖峰电路。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的所述的续流MOS管源极与漏极两端并联第二削尖峰电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东金莱特电器股份有限公司，未经广东金莱特电器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621300848.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
