[实用新型]一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件

权利要求书

1.一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件（0），其特征在于结构包括：在高掺杂的N+衬底硅片的两个表面上，双面外延形成上外延层N-和下外延层N-，在上外延层表面，有一个上肖特基势垒区（4），在上肖特基势垒区边缘处，有上P+保护环（3），在上P+保护环（3）外侧，有上厚绝缘介质层（2），上肖特基势垒区表面的金属层形成器件的上阳极（5）；上外延层的边缘，围绕一个扩通外延层，且与N+衬底层相交的高浓度的N型上掺杂环（1），高浓度的N型上掺杂环（1）表面有上薄绝缘介质层（6），高浓度的N型上掺杂环（1）上的金属层形成器件的共阴极（10）；在下外延层表面，有一个下肖特基势垒区（14），在下肖特基势垒区边缘处，有下P+保护环（13），在下P+保护环（13）外侧，有下厚绝缘介质层（12），下肖特基势垒区表面的金属层形成器件的下阳极（15）；下外延层的边缘，围绕一个扩通外延层，且与N+衬底层相交的高浓度的N型下掺杂环（11），高浓度的N型下掺杂环（11）表面有下薄绝缘介质层（16），下薄绝缘介质层（16）与下厚绝缘介质层（12），有台阶差。

2.如权利要求1所述的一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件，其特征在于：N+衬底硅片浓度区高于5E18atm/cm³,上、下外延层N-浓度在5E14 atm/cm³至7E15atm/cm³之间，高浓度的N型上、下掺杂环（1）、（11）表面浓度高于5E19atm/cm³。

3.如权利要求1所述的一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件，其特征在于：N+衬底硅片为双面抛光片，片厚340微米至360微米之间，上、下外延层N-的厚度相同，在4微米至20微米之间，高浓度的N型上、下掺杂环（1）、（11）的扩散深度比上、下外延层N-的厚度多3微米以上，上、下P+保护环（3）、（13）表面掺杂硼浓度在8E18atm/cm³至8E19atm/cm³，上、下厚绝缘介质层（2）、（12）厚度在3微米至10微米之间，上、下P+保护环（3）、（13）结深在2微米至4微米之间，上、下薄绝缘介质层（6）、（16）厚度在0.4微米至0.6微米之间。

4.如权利要求1所述的一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件（0），其特征在于：在一个器件上，具有2个肖特基势垒结，两个肖特基势垒结，呈共阴结构。