[实用新型]可集成的总线供电电路

权利要求书

1.一种可集成的总线供电电路，其特征在于，所述的电路包括限流源模块、LDO模块、功能模块、接收及恒流发送模块和第二二极管，所述的限流源模块分别与总线负极线Ln、所述的第二二极管的负极、所述的接收及恒流发送模块和所述的LDO模块相连接，所述的LDO模块分别与所述的功能模块和所述的接收及恒流发送模块相连接，所述的功能模块与所述的接收及恒流发送模块相连接，所述的第二二极管的正极与总线正极线Lp相连接。

2.根据权利要求1所述的可集成的总线供电电路，其特征在于，所述的限流源模块包括第二P型MOS管、第三P型MOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第三电阻、第四电阻、第二稳压管和偏置产生电路，所述的第三电阻的第一端分别与所述的第二二极管的负极、所述的第四电阻的第一端、所述的第二P型MOS管的源极、所述的第三P型MOS管的源极和所述的接收及恒流发送模块的第一端相连接，所述的第三电阻的第二端分别与所述的第二稳压管的负极和所述的第一N型MOS管的栅极相连接，所述的第二稳压管的正极分别与所述的总线负极线Ln、所述的第三N型MOS管的源极、所述的偏置产生电路的第三端、所述的LDO模块、所述的功能模块的第二端和所述的接收及恒流发送模块的第二端相连接，所述的第一N型MOS管的漏极与所述的第四电阻的第二端相连接，所述的第一N型MOS管的源极与所述的第二N型MOS管的栅极、所述的偏置产生电路的第一端、所述的LDO模块、所述的功能模块的第一端和所述的接收及恒流发送模块的第一端相连接，所述的第二P型MOS管的漏极分别与所述的第二P型MOS管的栅极、所述的第二N型MOS管的漏极和所述的第三P型MOS管的栅极相连接，所述的第三P型MOS管的漏极与所述的LDO模块相连接，所述的第二N型MOS管的源极与所述的第三N型MOS管的漏极相连接，所述的第三N型MOS管的栅极与所述的偏置产生电路的第二端相连接。

3.根据权利要求2所述的可集成的总线供电电路，其特征在于，所述的限流源模块还包括第三二极管，所述的第三二极管的正极与所述的第一N型MOS管的源极相连接，所述的第三二极管的负极与所述的第二N型MOS管的栅极相连接。

4.根据权利要求2所述的可集成的总线供电电路，其特征在于，所述的偏置产生电路包括第四P型MOS管、第五P型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第二运算放大器和第五电阻，所述的第五电阻为可调电阻，所述的第二运算放大器的正向输入端接带隙基准电压，所述的第二运算放大器的反向输入端分别与所述的第五N型MOS管的源极和所述的第五电阻的第一端相连接，所述的第二运算放大器的正电源端分别与所述的第五P型MOS管的源极和第四P型MOS管的源极相连接，所述的第二运算放大器的输出端与所述的第五N型MOS管的栅极相连接，所述的第五电阻的第二端与所述的第四N型MOS管的源极相连接并接总线负极线Ln，所述的第五N型MOS管的漏极分别与所述的第五P型MOS管的漏极、所述的第五P型MOS管的栅极和所述的第四P型MOS管的栅极相连接，所述的第四P型MOS管的漏极分别与所述的第四N型MOS管的漏极和所述的第四N型MOS管的栅极相连接并输出偏置电压。

5.根据权利要求4所述的可集成的总线供电电路，其特征在于，所述的LDO模块包括带隙基准产生电路、第一运算放大器、第一P型MOS管、第一电阻、第二电阻和第二电容，所述的带隙基准产生电路的第一端分别与所述的偏置产生电路的第一端、所述的第一P型MOS管的漏极、所述的第二电阻的第一端和所述的第二电容的第一端相连接，所述的带隙基准产生电路的第二端与所述的第一运算放大器的反向输入端线连接，所述的带隙基准产生电路的第三端分别与所述的第一电阻的第二端和所述的第二电容的第二端和所述的偏置产生电路的第二端相连接，所述的第一运算放大器的同向输入端分别与所述的第一电阻的第二端和所述的第二电阻的第一端相连接，所述的第一运算放大器的正电源端分别与所述的第三P型MOS管的漏极和所述的第一P型MOS管的源极相连接，所述的第一运算放大器的输出端与所述的第一P型MOS管的栅极相连接。

6.根据权利要求5所述的可集成的总线供电电路，其特征在于，所述的第二电阻为可调电阻。