[实用新型]二氧化硅填充装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，具体涉及一种二氧化硅填充装置。

背景技术

聚焦离子束显微镜(Focused Ion beam,FIB)系统是利用电子透镜将离子束聚集成非常小尺寸的显微精细切割仪器，在元器件失效分析、产线工艺异常分析等领域被广泛采用。

在晶圆失效分析或者工艺异常分析时，所述晶圆会被切割掉一部分芯片区域，进行后续分析。切割掉的芯片区域，器件结构被破坏，只能做报废处理，但为了不致整个晶圆报废，使其能继续后续的工艺流程，通常采用在被切割掉的区域填充二氧化硅(SiO₂)的方法。

传统的二氧化硅填充装置如图1所示，其包括喷头101、连接腔体102、进气主管道103和进气分支管道104，所述进气分支管道104与进气主管道103侧壁连通，所述进气主管道103与连接腔体102一端连通，所述连接腔体102的另一端与所述喷头101连通。

如图1所示，采用传统的二氧化硅填充装置进行二氧化硅填充时，整个操作是在一真空腔体内进行，从进气主管道103通入六甲基苯烷(C₆H₂₄O₆Si₆)气体，同时从进气分支管道104通入氧气，图1中箭头方向为气体流向，氧气与六甲基苯烷混合后会生成二氧化硅分子，其沿气流方向由喷头101的喷嘴105处喷出，此时将喷嘴105对准需要填充二氧化硅的区域即可。

然而，实践中发现，采用传统的二氧化硅填充装置进行二氧化硅填充时，生成的二氧化硅会粘附于所述喷头101以及连接腔体102侧壁，特别是长时间进行二氧化硅填充操作后，粘附的二氧化硅量更大，以至于堵住所述喷嘴105，造成装置无法正常工作。

实用新型内容

为解决传统的二氧化硅填充装置在使用过程中，生成的二氧化硅会堵住喷嘴的问题，本实用新型提供了一种二氧化硅填充装置。

本实用新型提供了一种二氧化硅填充装置，其包括喷头、连接腔体、进气主管道、第一进气分支管道和第二进气分支管道，所述第一进气分支管道和第二进气分支管道均与所述进气主管道相连，所述进气主管道与上述连接腔体一端连通，所述连接腔体的另一端与所述喷头连通。

可选的，所述第一进气分支管道连接一氧气供给装置。

可选的，所述第二进气分支管道连接一氮气供给装置。

可选的，所述第二进气分支管道连接一惰性气体供给装置。

进一步，所述第二进气分支管道相比于所述第一进气管道远离所述连接腔体。

可选的，所述第二进气分支管道上安装有手动阀。

可选的，所述第二进气分支管道上安装有电磁阀。

可选的，所述电磁阀连接一计时触点装置，所述计时触点装置控制所述电磁阀的开关。

进一步，所述电磁阀为常关电磁阀。

进一步，所述计时触点装置为常开计时触点装置。

由于本实用新型提供的二氧化硅填充装置相较于传统的二氧化硅填充装置增加了一进气分支管路，在二氧化硅填充装置被生成的二氧化硅堵塞时，可通过向其中一进气分支管路通入清洁气体(比如氮气)的方式，产生一气体冲击，将堵塞在喷嘴处的二氧化硅喷出，确保装置正常工作。进一步的，所述二氧化硅填充装置可通过计时触点装置精确控制电磁阀打开的时间，避免不必要的气体(比如氮气)用量，可节约成本。

附图说明

图1是传统的二氧化硅填充装置的示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的二氧化硅填充装置的示意图；

图3是本实用新型实施例二提供的二氧化硅填充装置的示意图；

附图1-附图3的标记说明如下：

101、201、301-喷头；102、202、302-连接腔体；103、203、303-进气主管道；104、204、304-第一进气分支管道；105、205、305-喷嘴；206、306-第二进气分支管道；307-电磁阀；308-计时触点装置。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的二氧化硅填充装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

<实施例一>

图2是本实用新型实施例一提供的二氧化硅填充装置的示意图。