[实用新型]一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置有效
申请号: | 201621307688.9 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN206271670U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 李帮成;朱欢;赵丽艳 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
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地址: | 314206 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 制备 具有 pid 效应 电池 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于晶硅太阳能电池片的制造领域,具体地涉及到一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置。
背景技术
在晶硅太阳能电池片的制备过程中,随着应用过程中发现的问题而不断提出的技术要求,抗PID已经成为光伏行业考量的重要技术参数之一。因此,抗PID技术的研发、优化等成为晶硅太阳能电池片的制备厂家研究的重点方向之一。现有的臭氧导流板采用PVC材料,采用两个进口导入臭氧直接喷洒于硅片表面,其中氧气用量为30—40L/min。采用上述臭氧喷淋板制备的晶硅太阳能电池片的抗PID效果的均匀性差、氧气用量大及生产成本高。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置,达到提高气体的均匀性、降低臭氧用量及生产成本的目的。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下所述:一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置,包括可伸缩调节板(1),装置密封板(2),导流板(3),喷淋背板(4)和固定支架(5);所述的导流板和喷淋板从上至下依次安装于密封板内;所述的导流板上设置N行导流孔,其中N与太阳能电池片制备设备上每次上料硅片的片数相同,每行导流孔的设置呈对称分布,并且导流孔的尺寸从两侧至中心逐渐减小;所述的喷淋板上设置若干行相同或者不同形状的孔洞;所述的导流板的宽度(h1)是喷淋板宽度(h2)的三分之一;所述的可伸缩调节板(1)调节制备具有抗PID效应的装置与机台的距离。
本实用新型的有益效果是节约气体用量,提高气体与硅片接触的均匀性。
附图说明
图1 本实用新型提供的一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置结构正视图
图中:1表示可伸缩调节板,2表示装置密封板,3表示导流板,4表示喷淋背板,5表示固定支架,h表示导流板与喷淋板之间的距离,a表示喷淋板与硅片之间的距离
图2 本实用新型提供的一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置结构俯视图
图中:1表示可伸缩调节板,2表示进气口,h1表示导流板的宽度,h2表示喷淋板的宽度
图3 本实用新型提供的一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置结构中导流板结构图
图中:d1,d2,dn依次表示导流板上从两侧至中心的导流孔的直径
图4 本实用新型提供的一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置结构中喷淋板结构图
图中:d0表示喷淋孔的直径。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的技术方案作进一步详细说明。
在本实施例中,一种新型的制备具有抗PID效应电池片的装置,包括可伸缩调节板(1),装置密封板(2),导流板(3),喷淋背板(4)和固定支架(5);喷淋板的宽度h2为30cm,导流板的宽度h1为10cm;导流板与喷淋板之间的距离h为1cm;导流板与喷淋板的厚度相同,均为1.5cm;通过调节可伸缩调节板(1)使装置中喷淋板与硅片的距离a为3mm;喷淋板上采用圆孔型的喷淋孔设计结构,喷淋孔直径d0为1mm;导流板上从两侧至中心的导流孔的直径依次为d1,d2,d3,d4,d5,d6依次为3.5mm,3.0mm,2.5mm,2.0mm,1.5mm,1.0mm。氧气通过臭氧发生器制成臭氧后,通过臭氧进气口(2)进入面板腔室,由于中部导流孔较小四周导流孔直径大,从而控制中心流速均匀流向两侧,再通过喷淋板喷洒于硅片表面。通过采用上述的制备具有抗PID效应电池片的装置进行实验,将实验后的硅片进行亲水性测试,在20秒内将测试用水直径扩散到20mm,氧气用量由30-40L/min降到6-8L/min。因此,大幅度地提高了气体的均匀性和降低臭氧用量,提高了产品质量和降低了生产成本。
最后所应说明的是,以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造