[实用新型]量子点宽谱单光子探测器

权利要求书

1.量子点宽谱单光子探测器，其特征在于：包括光吸收层、雪崩倍增结构层；所述光吸收层包括量子点层、多孔硅层，所述量子点层下方设置有多孔硅层；所述量子点层，用于吸收光子；所述多孔硅层，用于作为量子点吸收光子的宿主材料；所述雪崩倍增结构层为平面型硅雪崩二极管，所述硅雪崩二极管设置在多孔硅层下方，所述硅雪崩二极管包括重掺杂N+型层、重掺杂P+型层、P型层、重掺杂P型掩埋层、N型硅衬底、Au阴极、Au阳极、重掺杂P+区、重掺杂N++区；所述P型层长在重掺杂P型掩埋层上，所述重掺杂P型掩埋层，用于确保电流通路的低阻，在结构底部形成电极层；所述重掺杂N+型层嵌入P型层，用于制造出盆型区，形成虚拟保护环；所述P型层内注入重掺杂P+型层，用于决定有源区；所述重掺杂P+区（10）热沉提供了电极接触；所述Au阴极（8）、Au阳极（9）形成电极；所述重掺杂N++区长在N型硅衬底上，用于将单光子探测器与芯片上周围器件电学隔离。

2.根据权利要求1所述的量子点宽谱单光子探测器，其特征在于：所述量子点层为PbS量子点层，可探测可见到红外波段的双波段宽光谱。

3.根据权利要求1所述的量子点宽谱单光子探测器，其特征在于：重掺杂N+型层和重掺杂P+型层构成的PN结形成长耗尽区，用于增益雪崩放大。