[实用新型]一种含栅电极的可调制光离子化传感器有效
申请号: | 201621318607.5 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN206671256U | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 钱永彪 | 申请(专利权)人: | 上海苏萨电子科技有限公司 |
主分类号: | G01N27/66 | 分类号: | G01N27/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 201108 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 调制 离子化 传感器 | ||
1.一种光离子化传感器,包括:
设置在电离室内的电极结构,所述电极结构包括:
偏置电极;
离子收集电极;以及
栅电极,其位于所述偏置电极和离子收集电极之间,且栅电极电位可调。
2.如权利要求1所述的光离子化传感器,包括:
偏置电极驱动电路,用于向所述偏置电极施加正电压;
离子收集电极驱动及检测电路,用于向所述离子收集电极施加比所述偏置电极低的电压并对收集到的离子电流信号进行检测;以及
栅电极驱动电路,用于调制栅电极电位。
3.如权利要求2所述的光离子化传感器,其特征在于,所述栅电极驱动电路能够设置所述栅电极电位为以下的其中一项:等于或接近离子收集电极电位;介于偏置电极与离子收集电极的电位之间;零电位或负电位。
4.如权利要求3所述的光离子化传感器,其特征在于,所述栅电极的电位介于偏置电极与离子收集电极的电位之间时改善所述光离子化传感器的输出信号的强度和线性度。
5.如权利要求3所述的光离子化传感器,其特征在于,所述栅电极的电位为零电位或负电位时离子收集电极处没有离子电离产生。
6.如权利要求1所述的光离子化传感器,其特征在于,所述偏置电极、所述离子收集电极和所述栅电极之间悬空,或用绝缘材料隔离。
7.如权利要求1所述的光离子化传感器,其特征在于,所述偏置电极、离子收集电极和栅电极各自的形状为以下中的一种:筒状、针状、丝状、网状、圆片状。
8.如权利要求1所述的光离子化传感器,其特征在于,所述偏置电极、离子收集电极和栅电极各自由以下材料中的一种制成:金属材料、导电的非金属材料、表面有导电层的绝缘材料。
9.如权利要求1所述的光离子化传感器,其特征在于,所述电极结构进一步包括额外电极。
10.如权利要求1所述的光离子化传感器,其特征在于,所述偏置电极、离子收集电极和栅电极中的至少一者可拆分。
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