[实用新型]两相流空泡分布二级管阵列传感器结构有效

专利信息
申请号: 201621320054.7 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN206235554U 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 龚锦华;闫永恒;孙瑶;陈俊安 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: G01N21/17 分类号: G01N21/17
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 两相 空泡 分布 二级 阵列 传感器 结构
【权利要求书】:

1.两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,其特征在于,包括:

基座组件,呈圆环状,其上表面周向均布偶数个凹槽;

发光二极管,嵌设于所述凹槽中,用于发出光信号;

光电二极管,设置于相邻的凹槽之间的上边界平台上,用于接收所述光信号;

其中,所述发光二极管、光电二极管均与外接导线电性连接;

所述发光二极管与光电二极管设置于同一高度,且所述发光二极管的发光中心轴平面与光电二极管的光信号接收平面垂直。

2.根据权利要求1所述的两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,其特征在于,所述基座组件包括两个半圆环状基座,且所述两个半圆环状基座通过螺栓连接成一个整体。

3.根据权利要求1所述的两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,其特征在于,所述凹槽的数量为18个,且所述凹槽的内侧边顺次连接构成正十八边形。

4.根据权利要求1所述的两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,其特征在于,所述发光二极管的数量为18个。

5.根据权利要求1所述的两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,其特征在于,所述光电二极管的数量为18个。

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