[实用新型]一种半导体蚀刻间污染物处理系统有效

专利信息
申请号: 201621335365.0 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN206412321U 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 陈媛媛;张学伟;黄浩亮;文东林;梁志滔 申请(专利权)人: 广东申菱环境系统股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B01D53/18;B01D53/81
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 代理人: 王永文,刘文求
地址: 528313 广东省佛山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 蚀刻 污染物 处理 系统
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及废气处理领域,特别涉及一种半导体蚀刻间污染物处理系统。

背景技术

半导体生产工艺中,半导体的清洗和蚀刻等过程产生大量的分子级污染物,为了防止污染,实际生产中设置用于加工半导体的蚀刻间,并对室外引入的新风进行简单过滤处理,因此污染有效去除蚀刻间因半导体加工产生的污染物,因此不能保证半导体生产所需的洁净度,最终影响半导体成品的质量。

可见,现有技术还有待改进和提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处,本实用新型的目的在于提供一种半导体蚀刻间污染物处理系统,旨在有效处理半导体生产过程中产生的污染物并提高半导体生产的洁净度。

为了达到上述目的,本实用新型采取了以下技术方案:

一种半导体蚀刻间污染物处理系统,包括设置于蚀刻间外的新风机,所述新风机通过管道与蚀刻间侧面的回风夹道连接,还包括将半导体清洗机、蚀刻机在蚀刻间中进行隔离的隔离间,设置于半导体清洗机上方的排风罩,通过管道与所述排风罩连通的无机废气处理系统,通过管道与所述隔离间下部连通的有机废气处理系统,以及设置于蚀刻间及隔离间上方的若干个风机过滤单元。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中,所述有机废气处理系统包括沸石转轮浓缩设备和焚化炉。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中,所述无机废气处理系统包括一水洗式洗涤塔。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中,所述连接水洗式洗涤塔与排风罩的管道中还设置有第一化学过滤器。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中,所述蚀刻间的下方连通有回风层,所述回风层与回风夹道之间设置有水喷淋设备。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中,所述蚀刻间与回风层之间设置有第二化学过滤器。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中,所述第二化学过滤器包括上下两层叠置的圆筒化学过滤器,上层化学过滤器填装有经氢氧化钾浸渍过的活性炭,下层化学过滤器填装有经硫酸铜和硫酸浸渍过的活性炭。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中,各个所述风机过滤单元的入口分别设置有第三化学过滤器。

有益效果:

本实用新型提供了一种半导体蚀刻间污染物处理系统,包括设置于蚀刻间外的新风机,将半导体清洗机、蚀刻机在蚀刻间中进行隔离的隔离间,设置于半导体清洗机上方的排风罩,通过管道与所述排风罩连通的无机废气处理系统,通过管道与所述隔离间下部连通的有机废气处理系统,以及设置于蚀刻间及隔离间上方的若干个风机过滤单元。本实用新型提供的半导体蚀刻间污染物处理系统有效去除了半导体生产过程中产生的分子级污染物,提高了半导体生产的洁净度。

附图说明

图1为本实用新型提供的半导体蚀刻间污染物处理系统的结构示意图。

图2为本实用新型提供的半导体蚀刻间污染物处理系统中,第二化学过滤器的结构示意图。

图3为为本实用新型提供的半导体蚀刻间污染物处理系统中,第三化学过滤器及风机过滤单元的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供一种半导体蚀刻间污染物处理系统,为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本实用新型进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

请参阅图1,本实用新型提供一种半导体蚀刻间污染物处理系统。

所述的半导体蚀刻间污染物处理系统包括设置于蚀刻间901外的新风机10,所述新风机10通过管道与蚀刻间901侧面的回风夹道903连接,还包括将半导体清洗机801、蚀刻机802在蚀刻间901中进行隔离的隔离间91,设置于半导体清洗机801上方的排风罩401,通过管道与所述排风罩401连通的的无机废气处理系统,通过管道与所述隔离间91下部连通的有机废气处理系统,以及设置于蚀刻间901及隔离间91上方的若干个风机过滤单元20。

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