[实用新型]芯片多面包封保护结构有效
| 申请号： | 201621342233.0 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN206293426U | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 于大全;杨力 | 申请（专利权）人： | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所32212 | 代理人： | 盛建德,段新颖 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 多面 保护 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片多面包封保护结构，其特征在于：包括一芯片，所述芯片包含第一表面、与其相对的第二表面，以及侧面；所述第一表面包含焊垫以及与其电连接的凸点，所述芯片的第一表面及侧面上包封有可光刻聚合物材料，所述第一表面上的可光刻聚合物材料暴露出所述凸点。
2.根据权利要求1所述的芯片多面包封保护结构，其特征在于：所述芯片的第二表面设置有保护层。
3.根据权利要求1所述的芯片多面包封保护结构，其特征在于：所述凸点表面低于所述可光刻聚合物材料表面。
4.根据权利要求1所述的芯片多面包封保护结构，其特征在于：所述可光刻聚合物材料为可光刻胶或干膜，第一表面上可光刻聚合物材料的厚度大于10微米。
5.根据权利要求1所述的芯片多面包封保护结构，其特征在于：所述芯片侧面上可光刻聚合物材料的厚度大于1μm。
6.根据权利要求1所述的芯片多面包封保护结构，其特征在于：所述保护层的材料为树脂类的胶或干膜。
7.根据权利要求6所述的芯片多面包封保护结构，其特征在于：所述保护层的厚度为5μm至40μm。
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