[实用新型]一种稳压电路

权利要求书

1.一种稳压电路，包括：电压偏置单元、第一级运算放大单元、第二级运算放大单元、密勒补偿单元、控制单元，其特征在于，还包括：

互补开关单元，分别与所述稳压电路的输出电压端和所述第一级运算放大单元的输入端相连，用于当所述稳压电路的输出电压端连接负载的时候，断开所述稳压电路的输出电压端与所述第一级运算放大单元的输入端之间的通路，导通参考电压与所述第一级运算放大单元输入端之间的通路，以使所述第一级运算放大单元的输入端电压保持与参考电压相等。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压偏置单元包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管，其中：

所述第二PMOS管的源极与电源相连，栅极以及漏极与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第三PMOS管的源极与电源相连，栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，漏极与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管的栅极与参考电压相连，源极与所述第三NMOS管的源极相连；所述第三NMOS管的漏极与栅极相连。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一级运算放大单元包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，其中：

所述第五PMOS管的源极与电源相连，栅极以及漏极与所述第五NMOS管的漏极相连；所述第六PMOS管的源极与电源相连，栅极与所述第五PMOS管的栅极相连，漏极与所述第六NMOS管的漏极相连；所述第五NMOS管的栅极与所述稳压电路的输出电压端相连，源极与所述第六NMOS管的源极以及所述第四NMOS管的漏极相连；所述第六NMOS管的栅极与参考电压相连；所 述第四NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极相连，源极与第三NMOS管的源极相连。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二级运算放大单元包括：第八PMOS管、第二电阻和第三电阻，其中：

所述第八PMOS管的源极与电源相连，栅极与所述第六PMOS管的漏极相连，漏极与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端以及输出电压端相连，所述第三电阻的第二端与地相连。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述密勒补偿单元包括，第一电阻和第一电容，其中：所述第一电阻的第一端与所述第六PMOS管的漏极相连，第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述第八PMOS管的漏极相连。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述控制单元包括：第一PMOS管、第四PMOS管、第七PMOS管和第二NMOS管，其中：

所述第一PMOS管的源极与电源相连，漏极与所述第二PMOS管的漏极相连，栅极与控制信号相连；所述第四PMOS管的栅极与控制信号相连，源极与电源相连，漏极与所述第五PMOS管的漏极相连；所述第七PMOS管的栅极与控制信号相连，源极与电源相连，漏极与所述第六PMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的栅极与反控制信号相连，漏极与所述第三NMOS管的漏极相连，源极与地相连。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述互补开关单元包括：第七NMOS管、第八NMOS管、第九PMOS管和第十PMOS管，其中，所述第九PMOS管的栅极与脉冲信号相连，源极分别与所述第七NMOS管的漏极和所 述稳压电路的输出电压端相连，漏极与所述第七NMOS管的源极和所述第一级运算放大单元的输入端相连；所述第七NMOS管的栅极与反脉冲信号相连；所述第十PMOS管的栅极与反脉冲信号相连，源极与所述第八NMOS管的漏极和参考电压相连，漏极与所述第八NMOS管的源极以及所述第一级运算放大单元的输入端相连；所述第八NMOS管的栅极与脉冲信号相连。