[实用新型]一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片有效
申请号: | 201621351652.0 | 申请日: | 2016-12-10 |
公开(公告)号: | CN206293592U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 周敏;戴林华;周蕾 | 申请(专利权)人: | 上海华湘计算机通讯工程有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司31224 | 代理人: | 刘常宝 |
地址: | 200233 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 40 ghz 功率 db 薄膜 电路 衰减 | ||
1.一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片,其特征在于,所述薄膜电路衰减片包括一基板,所述基板正面设有输入电极、输出电极和电阻,所述输入电极位于输出电极上侧,所述电阻分别与输入电极和输出电极连接形成分布式衰减网络,所述基板上下两侧分别设有接地导带,所述分布式衰减网络通过接地导带接地导通,所述基板左侧的输入端连接有第一镀金电极,所述基板右侧的输出端连接有第二镀金电极。
2.根据权利要求1所述的一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片,其特征在于,所述基板为卡片状,所述基板尺寸为6.5mm*4.2mm*0.2mm。
3.根据权利要求1所述的一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片,其特征在于,所述基板为氮化铝基板。
4.根据权利要求1所述的一种40GHz功率2瓦6dB的薄膜电路衰减片,其特征在于,所述基板反面为无电路非金属面。
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