[实用新型]一种门控光电倍增管的控制电路

权利要求书

1.一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：光电倍增管、门控电路、分压电路以及脉冲延时控制器，其中，所述光电倍增管包括光阴极K、阳极P和倍增极Dy1、Dy2、Dy3、Dy4、……、Dyn，n为大于5的正整数，

所述门控电路分别与所述光阴极K、所述倍增极Dy1、Dy2、Dy3相连，所述门控电路由所述脉冲延时控制器的输出控制其打开和关断，当所述门控电路处于关闭状态时，待测信号在所述光阴极K上打出的光电子数目无法被所述倍增极Dy1、Dy2、Dy3放大，当所述门控电路处于打开状态时，待测信号在所述光阴极K上打出的光电子在所述倍增极Dy1、Dy2、Dy3依次倍增；

所述分压电路分别与所述阳极P、所述倍增极Dy4、……、Dyn相连，用于保证所述阳极P、所述倍增极Dy4、……、Dyn处于稳定工作状态。

2.根据权利要求1所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述光电倍增管为端窗型或侧窗型光电倍增管。

3.根据权利要求1所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述门控电路包括场效应管FETs，所述场效应管FETs具有源极s端、漏极d端和栅极g端，所述场效应管的源极s端和漏极d端分别连接所述光阴极K和所述倍增极Dy3，所述场效应管的栅极g端与所述脉冲延时控制器的输出端相连接；

所述光阴极K、所述倍增极Dy1、所述倍增极Dy2和所述倍增极Dy3之间各自通过一个电阻R1相连，所述倍增极Dy3再通过一个电阻R1与第一稳压电源相连。

4.根据权利要求3所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述第一稳压电源提供240V正电压输入到所述倍增极Dy3。

5.根据权利要求1所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述分压电路包括若干电阻R、若干电容C和电阻R0，所述倍增极Dy4、……、Dyn-1、Dyn之间各自通过一个电阻R相连，所述倍增极Dy4还通过电阻R0接地，所述倍增极Dyn、Dyn-1、Dyn-2之间各自再连接一个电容C，所述倍增极Dyn通过并联的电阻R和电容C与第二稳压电源相连，所述阳极P通过电阻R与第二稳压电源相连，所述倍增极Dyn与所述阳极P之间通过两个串联的电阻R相连。

6.根据权利要求5所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述第二稳压电源提供1100V正电压输入到所述倍增极Dyn与所述阳极P。

7.根据权利要求1所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述控制电路通过所述阳极P连接电容Cc后进行电流输出。

8.根据权利要求3所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述场效应管FETs的栅极g端的电压由所述脉冲延时控制器提供，此电压称为触发脉冲电压，当所述场效应管FETs的栅极g端电压为0V，即无触发脉冲时，所述场效应管FETs导通，光阴极K与倍增级Dy1、Dy2、Dy3同电位，待测信号在光阴极K上打出的光电子数目无法被倍增级Dy1、Dy2、Dy3放大，所述门控电路处于关闭状态；当所述场效应管FETs的栅极g端电压降为-5V，即有触发脉冲时，所述场效应管FETs处于断开状态，此时倍增级Dy1、Dy2、Dy3上的电压迅速上升至+60V、+120V和+180V，待测信号在光阴极K上打出的光电子在倍增级Dy1、Dy2、Dy3依次倍增，所述门控电路处于打开状态。

9.根据权利要求3所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，

所述场效应管的栅极g端的触发脉冲的宽度以及其相对探测脉冲信号的延时均由所述脉冲延时控制器来进行调节。

10.根据权利要求5所述的一种门控光电倍增管的控制电路，其特征在于，所述电阻R0阻值是所述电阻R阻值的四倍。