[实用新型]一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置有效
申请号: | 201621356584.7 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN206271672U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 张明 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 晶圆铜膜 cvd 退火 氧化物 还原 装置 | ||
1.一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,包括密闭的功能腔(1),所述功能腔(1)内设置有温度可调节的加热器(2),所述加热器(2)具有用于放置晶圆并对其进行加热的加热平台,所述功能腔(1)位于加热平台上方的内腔壁上设置有可拆卸的铝制挡板(3),所述功能腔(1)的下部设置有用于向其内通入气体的进气管(5),所述功能腔(1)的上部连通设置有抽气管(4),所述抽气管(4)通过管道与真空泵(6)连通。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述加热器(2)的数量为两个且在水平方向上间隔并排设置。
3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述进气管(5)的数量为两个,一个为氨气进管,另一个为氮气进管。
4.根据权利要求1所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述抽气管(4)的下端内径大于其上端内径,所述抽气管(4)的下端与所述功能腔(1)连通,所述抽气管(4)的上端通过管道与真空泵(6)连通。
5.根据权利要求1所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述铝制挡板(3)与所述功能腔(1)的内腔壁通过螺栓连接。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述功能腔(1)为长方体状,所述进气管(5)位于所述功能腔(1)的下部中间位置,所述抽气管(4)位于所述功能腔(1)的上部中间位置。
7.根据权利要求1至5任一项所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述功能腔(1)的内腔壁上设有碳化钨涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造