[实用新型]一种具有超宽带与超高延时的相控阵时延线电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种具有超宽带与超高延时的相控阵时延线电路，属于通信电子技术领域。

背景技术

目前公知的相控阵天线系统中，其核心部件相位延时线大多采用微带线或者传统低通LC网络来实现时延单元，并配合增益补偿放大器来形成完整时延线，存在平坦时延带宽与时延的乘积小的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种提高相控阵系统中时延线的带宽，并且增加通带内相位时延的平坦性的具有超宽带与超高延时的相控阵时延线电路。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种具有超宽带与超高延时的相控阵时延线电路，包包括多个输入线时延单元T_n1、多个增益开关放大器G_n、多个输出线时延单元T_n2；

所述多个输入线时延单元T_n1之间串联连接，多个输出线时延单元T_n2之间串联连接，所述输入线时延单元T_n1、输出线时延单元T_n2之间通过增益开关放大器G_n连接；

所述输入线时延单元T_n1包括一对相互耦合的电感L、串联电容C_S和并联电容C_P，所述一对相互耦合的电感L中间具有连接点T_P，所述串联电容C_S两端分别连接在一对相互耦合的电感L的输入端、输出端，所述并联电容C_P一端连接在连接点T_P上，另一端接地；

所述输出线时延单元T_n2与输入线时延单元T_n1的电路结构相同，所述增益开关放大器G_n两端分别连接在输入线时延单元T_n1、输出线时延单元T_n2的连接点T_P上。

进一步的是，所述增益开关放大器G_n包括第一N型MOS晶体管M₁、第二N型MOS晶体管M₂、第一电容C₁、第二电容C₂、第三电容C₃、第一电感L₁、第一电阻R₁，所述第一电容C₁与第一电阻R₁并联连接，第一电容C₁、第一电阻R₁与第一N型MOS晶体管M₁的源极连接，第一电容C₁、第一电阻R₁与第三电容C₃连接，所述第二电容C₂、第一电感L₁与第一N型MOS晶体管M₁的漏极连接，所述第三电容C₃、第一电感L₁与第二N型MOS晶体管M₂的源极连接，所述第一电容C₁、第二电容C₂、第一电阻R₁均接地。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过采用新型时延单元结构，提出了一种新型增益开关放大器，并创新性的分配增益开关放大器与时延单元的连接位置，有效的增加了时延电路系统的带宽与时延值乘积；同时，对增益开关放大器的改进，也进一步提高了系统的增益带宽积。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为实施例中时延单元的电路结构图；

图3为实施例中增益开关放大器电路结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型的具体实施方式做进一步的描述，并不因此将本实用新型限制在所述的实施例范围之中。