[实用新型]电迁移测试结构

权利要求书

1.一种电迁移测试结构，其特征在于，所述电迁移测试结构包括：

待测金属结构，具有第一金属端、第二金属端；

测试端子，包括第一测试端、第二测试端、第三测试端、第四测试端；

测试保护单元，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括一个二极管以及一个与所述二极管串联的多晶硅熔线；

其中，所述第一测试端经由所述测试保护单元与所述第一金属端相连接，所述第三测试端与所述第一金属端相连接，所述第二测试端、所述第四测试端均与所述第二金属端相连接。

2.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一串联结构中的所述多晶硅熔线一端与所述第一金属端相连接，所述多晶硅熔线的另一端与所述二极管的负极相连接，所述二极管的正极与所述第一测试端相连接。

3.根据权利要求2所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述测试保护单元包括多个并联的所述第一串联结构。

4.根据权利要求3所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述测试保护单元还包括第二串联结构，所述第二串联结构与若干个所述第一串联结构并联，

其中，所述第二串联结构包括一个二极管以及一个与所述二极管串联的多晶硅熔线，所述多晶硅熔线一端与所述第一金属端相连接，所述多晶硅熔线的另一端与所述二极管的正极相连接，所述二极管的负极与所述第一测试端相连接。

5.根据权利要求4所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述测试保护单元包括多个并联的所述第二串联结构。

6.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一串联结构中的所述多晶硅熔线一端与所述第一金属端相连接，所述多晶硅熔线另一端与所述二极管的正极相连接，所述二极管的负极与所述第一测试端相连接。

7.根据权利要求6所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述测试保护单元包括多个并联的所述第一串联结构。

8.根据权利要求7所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述测试保护单元还包括第二串联结构，所述第二串联结构与若干个所述第一串联结构并联，

其中，所述第二串联结构包括一个二极管以及一个与所述二极管串联的多晶硅熔线，所述多晶硅熔线一端与所述第一金属端相连接，所述多晶硅熔线另一端与所述二极管的负极相连接，所述二极管的正极与所述第一测试端相连接。

9.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述电迁移测试结构还包括若干通孔连线，

其中，所述第一测试端经由所述测试保护单元通过所述通孔连线与所述第一金属端相连接，所述第三测试端通过所述通孔连线与所述第一金属端相连接，所述第二测试端、所述第四测试端通过所述通孔连线与所述第二金属端相连接。