[实用新型]一种用于射频二氧化碳激光器的陶瓷谐振腔有效
申请号: | 201621364992.7 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN206225775U | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 唐友清 | 申请(专利权)人: | 南京晨锐腾晶激光科技有限公司 |
主分类号: | H01S3/223 | 分类号: | H01S3/223;H01S3/081 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人: | 李德溅 |
地址: | 211100 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 射频 二氧化碳 激光器 陶瓷 谐振腔 | ||
技术领域
本实用新型涉及激光技术领域,具体地说是一种光路简单、调光方便、光能损耗小的用于射频二氧化碳激光器的陶瓷谐振腔。
背景技术
现有技术中的射频二氧化碳激光器的激光谐振腔中一般有三条光路凹槽,这三条光路凹槽按N形方式设置,为了使激光能在光路凹槽中振荡并输出谐振腔外,需要在N形光路的两个端点和两个拐点处分别设置光学镜片,共计需要四块光学镜片,其中有三块反射镜和一块输出镜,这样的光路路径复杂,光路调节效率低,同时因使用镜片较多,增加了激光的损耗。因此采用这种光路引导机构的激光器有调光慢、损耗大和激光模式差等缺点。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术存在的问题,提供一种光路简单、调光方便、光能损耗小的用于射频二氧化碳激光器的陶瓷谐振腔。
本实用新型的目的是通过以下技术方案解决的:
一种用于射频二氧化碳激光器的陶瓷谐振腔,包括激光谐振腔,其特征在于:所述的激光谐振腔上设有呈V形设置的两条光路凹槽A和光路凹槽B,其中光路凹槽A与激光谐振腔的一条长边平行且临近该长边,光路凹槽B的一端起始于光路凹槽A的一端且其另一端向激光谐振腔的斜对角端延伸。
所述光路凹槽A和光路凹槽B之间的夹角为3~6°且光路凹槽A和光路凹槽B的宽度为2.5mm~3.5mm。
所述的光路凹槽A与光路凹槽B交汇的一端为交汇点激光反射端,光路凹槽A的另一端为激光输出端且光路凹槽B的另一端为开口激光反射端。
所述激光输出端对应的激光谐振腔腔体上设置有激光输出镜,交汇点激光反射端和开口激光反射端对应的激光谐振腔腔体上设置有激光反射镜。
所述的激光谐振腔采用陶瓷材料制成且激光谐振腔的形状为矩形。
所述的激光谐振腔上设有用于装配定位的激光谐振腔的两个定位通孔。
本实用新型相比现有技术有如下优点:
本实用新型在激光谐振腔中设置构成V形的两条光路凹槽,该光路仅需要两块反射镜和一块输出镜就能够实现激光的振荡和输出,具有光路简单、调光方便和光能损耗小的优点,适宜推广使用。
附图说明
附图1为本实用新型的陶瓷谐振腔的结构示意图。
其中:1—激光谐振腔;2—光路凹槽A;21—激光输出端;22—交汇点激光反射端;3—光路凹槽B;31—开口激光反射端。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示:一种用于射频二氧化碳激光器的陶瓷谐振腔,包括采用陶瓷材料制成且形状为矩形的激光谐振腔1,在激光谐振腔1上设有呈V形设置的两条光路凹槽A2和光路凹槽B3,光路凹槽A2和光路凹槽B3之间的夹角为3~6°且光路凹槽A2和光路凹槽B3的宽度为2.5mm~3.5mm,其中光路凹槽A2与激光谐振腔1的一条长边平行且临近该长边设置,光路凹槽B3的一端起始于光路凹槽A2的一端且其另一端向激光谐振腔1的斜对角端延伸。在上述激光谐振腔1中,光路凹槽A2与光路凹槽B3交汇的一端为交汇点激光反射端22,光路凹槽A2的另一端为激光输出端21且光路凹槽B3的另一端为开口激光反射端31;同时需要说明的是,激光输出端21对应的激光谐振腔1腔体上设置有激光输出镜,交汇点激光反射端22和开口激光反射端31对应的激光谐振腔1腔体上设置有激光反射镜。另外激光谐振腔1上设有用于装配定位的激光谐振腔1的两个定位通孔。
激光器的激光谐振腔1位于激光谐振腔的上电极板和下电极板之间,激光器运行时射频电源通过射频馈头给上电极板施加射频信号,上电极板对下电极板放电,使得处于上下电极板之间的光路凹槽A2和光路凹槽B3中的激光气体被激发产生辉光放电,形成激光在两块激光反射镜和一块激光输出镜之间来回反射振荡放大,振荡放大使激光功率不断增加,当激光功率达到一定程度时激光束会冲破激光输出镜上的半透膜输出谐振腔外,实现激光的起振和输出。
本实用新型在激光谐振腔1中设置构成V形的两条光路凹槽,该光路仅需要两块反射镜和一块输出镜就能够实现激光的振荡和输出,具有光路简单、调光方便和光能损耗小的优点,适宜推广使用。
以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想,不能以此限定本实用新型的保护范围,凡是按照本实用新型提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本实用新型保护范围之内;本实用新型未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
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