[实用新型]一种复合多晶硅片有效
申请号: | 201621367011.4 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN206259366U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/04 |
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地址: | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 多晶 硅片 | ||
技术领域
本实用新型涉及多晶硅片技术领域,尤其涉及一种复合多晶硅片。
背景技术
随着能源危机的日益凸显,开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题,由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点,研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向。晶体硅太阳能电池,即由晶体硅片制备的太阳能电池是当今太阳能电池行业的主流产品,目前太阳能电池的市场中,晶体硅太阳能电池占据90%以上的份额,而在晶体硅太阳能电池中,多晶硅占据主导地位,目前,单晶硅太阳能电池转换效率已从3年前的14%提高到17%,多晶硅太阳能电池转换效率也从3年前的10%提高到15%,超高效率的太阳能电池转换效率已超过50%,世界光伏组件产量上世纪末最后10年的平均增长率为20%,但市场上的多晶硅片结构比较简单转换效率和自身强度都不够良好,因此,就此类问题,提出了一种复合多晶硅片。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种复合多晶硅片。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
设计一种复合多晶硅片,包括硅片本体,硅片本体包括P型多晶硅片和N型多晶硅片,P型多晶硅片和N型多晶硅片之间设置有导通层,所述P型多晶硅片上设置有减反射膜,所述P型多晶硅片的侧面设置有第一电极,所述N型多晶硅片的侧面设置有第二电极,所述P型多晶硅片的上表面均布有凹槽,所述减反射膜上设置有吸光膜,所述吸光膜上设置有钢化玻璃膜,所述N型多晶硅片底部设置有无机硅填料层。
优选的,所述硅片本体的四角均设置有圆角。
优选的,所述凹槽为半球形且呈矩阵排布。
优选的,所述无机硅填料层的底部设置有防护膜。
本实用新型提出的一种复合多晶硅片,有益效果在于:表面半球形的凹槽有聚光效果,设置有减反射膜和吸光膜,进一步减少反射,提高光电转换效率,硅片本体外设置有防护膜和钢化玻璃膜提高耐腐蚀性,设置有无机硅填料层提高硅片的强度。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种复合多晶硅片的结构示意图;
图2为本实用新型提出的一种复合多晶硅片的截面示意图。
图中:硅片本体1、第一电极2、减反射膜3、凹槽41、P型多晶硅片4、导通层5、第二电极6、N形硅片7、无机硅填料层8、防护膜9、钢化玻璃膜10、吸光膜11。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种复合多晶硅片,包括硅片本体1,硅片本体1的四角均设置有圆角,圆角过渡可以减少硅片受到损伤的可能。
硅片本体1包括P型多晶硅片4和N型多晶硅片7,P型多晶硅片4和N型多晶硅片7之间设置有导通层5,P型多晶硅片4接受光照后,电子通过导通层5转移向N型多晶硅片7,从而产生电流。
P型多晶硅片4上设置有减反射膜3,P型多晶硅片的侧面设置有第一电极2,P型多晶硅片的上表面均布有凹槽41,凹槽41为半球形且呈矩阵排布,N型多晶硅片7的侧面设置有第二电极6,电流通过第一电极2和第二电极6输出,凹槽为半球形,增大了阳光接收面积且由于球面聚光的原理可以减少一部分反射,同时还能适应不同的阳光照射角度,P型多晶硅片4表面设置有减反射膜3,进一步减少反射,提高光电转换效率。
所述减反射膜3上设置有吸光膜11,所述吸光膜11上设置有钢化玻璃膜10,所述N型多晶硅片底部设置有无机硅填料层8,无机硅填料层8的底部设置有防护膜9,吸光膜11用于增加光的吸收,钢化玻璃膜10和防护膜9起到耐腐蚀的作用,无机硅填料层8起到提高硅片强度的作用。
工作流程:阳光照射到P型多晶硅片4表面,在P型多晶硅片4的表面形成电子和空穴对,电子通过导通层5流向N型多晶硅片7,通过第一电极2和第二电极6可以输出电流。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的