[实用新型]一种环形振荡器

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种环形振荡器。

背景技术

当前，环形振荡器往往采用图1所示的结构，包括奇数个非门电路，即奇数个反相器101，其中，反相器101上的编号为反相器级数，OUTPUT为输出端，VDD为电源，GND为地。

对环形振荡器频率的调节可以采用以下两种结构：一是，通过增加延时单元来调节频率的环形振荡器，以在振荡器链中增加延迟网络，从而一定程度上调节环形振荡器的频率。但增加延迟网络，会牺牲芯片面积，对振荡器频率调节能力有限。二是，通过调节电源电压来调节环形振荡器的频率，即通过改变振荡器的电源电压，在一定程度上改变晶体管特性，从而达到调节环形振荡器的频率的目的。但电源电压的改变对输出波形的振幅和抗噪声能力会同时带来不良影响。

也就是说，现有技术中的环形振荡器，存在频率调节能力不足的技术问题。

实用新型内容

本实用新型通过提供一种环形振荡器，解决了现有技术中的环形振荡器，存在频率调节能力不足的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了如下技术方案：

一种环形振荡器，所述环形振荡器为双层绝缘衬底上的硅结构；

所述环形振荡器包括：N个反相器，所述N个反相器中的每个反相器包括N型MOS管和P型MOS管；所述N个反相器的接地接口GND均连接，所述N个反相器的电源接口VDD均连接；

其中，所述N个反相器的N型MOS管偏置电压输入管脚SOI2N均连接；所述N个反相器的P型MOS管偏置电压输入管脚SOI2P均连接；以能通过调节所述N型MOS管偏置电压输入管脚SOI2N和/或所述P型MOS管偏置电压输入管脚SOI2P来连续调节所述环形振荡器的频率。

可选的，所述N个反相器串联。

可选的，在所述N个反相器的每个反相器中，所述N型MOS管的源极与所述接地接口GND连接。

可选的，在所述N个反相器的每个反相器中，所述P型MOS管的源极与所述电源接口VDD连接。

可选的，在所述N个反相器的每个反相器中，所述N型MOS管的栅极和所述P型MOS管的栅极连接，作为所述反相器的输入端。

可选的，在所述N个反相器的每个反相器中，所述N型MOS管的漏极和所述P型MOS管的漏极连接，作为所述反相器的输出端。

可选的，在所述N个反相器的每个反相器中，所述N型MOS管的两层埋氧层之间的半导体层与所述N型MOS管的偏置电压输入管脚SOI2N连接。

可选的，在所述N个反相器的每个反相器中，所述P型MOS管的两层埋氧层之间的半导体层与所述P型MOS管的偏置电压输入管脚SOI2P连接。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

本申请实施例提供的环形振荡器，设置所述N个反相器的N型MOS管偏置电压输入管脚SOI2N均连接；所述N个反相器的P型MOS管偏置电压输入管脚SOI2P均连接；以实现能通过调节所述N型MOS管偏置电压输入管脚SOI2N和/或所述P型MOS管偏置电压输入管脚SOI2P来影响晶体管阈值电压，通过连续调节两种晶体管的阈值电压实现单级反相器输出延时的连续调节，最终体现为环形振荡器频率的连续调节。并通过采用双层绝缘衬底上的硅结构，以提高在调节反相器中N型MOS管和P型MOS管的偏置电压调节时各MOS管间的抗干扰能力和抗噪声能力，从而在不降低输出信号振幅和不降低系统抗噪声能力的前提下，实现较大范围内可变频率信号的输出，同时兼容其他频率调节的设计方案。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为背景技术中环形振荡器的结构图；

图2为本申请实施例中环形振荡器的结构图；

图3为本申请实施例中单级反相器的结构示意图。

具体实施方式

本申请实施例通过提供一种环形振荡器，解决了现有技术中的环形振荡器，存在频率调节能力不足的技术问题。提供了一种在不降低输出信号振幅和不降低系统抗噪声能力的前提下，实现较大范围内可变频率信号的输出，同时兼容其他频率调节的设计方案。

为解决上述技术问题，本申请实施例提供技术方案的总体思路如下：