[实用新型]一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元有效

专利信息
申请号: 201621371721.4 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN206323308U 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 姜兴华 申请(专利权)人: 埃博普感应系统(上海)有限公司
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48;H02M7/515
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司31253 代理人: 杨军
地址: 201906 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 一拖二 并联 谐振 电源 控制 单元
【说明书】:

[技术领域]

实用新型涉及实型铸造技术领域,具体地说是一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元。

[背景技术]

随着铸造行业的飞速发展,现代化的铸造车间越来越成为主流,相关行业对中频炉的要求也越来越高,传统的的10吨以下的电炉已不能满足现代化工厂的产能要求。国家对环保标准要求越来越高和中频熔化炉的不断技术突破,也促进了中频了在钢铁行业的应用,而钢铁行业的产能要求更加迫切的需要中频熔化炉在吨位容量上和单体额定功率上不断追求上限。

随着中频熔化炉单台容量的吨位不断突破上限,中频熔化炉的功率极限也在不断突破上限,也使得中频熔化炉技术在多方面得到不断的创新。在中频熔化炉电源部分,分为串联谐振电源和并联谐振电源,由于两种电源工作原理不同,在功率越做越大的前提下,额定功率超过6000KW的单台熔炼设备,国内大部分采用并联谐振一拖二电源,因此未来并联谐振电源一拖二势必成为未来熔炼设备的主流。

并联谐振一拖二的电源中,两组逆变回路是串联的,因此在单台逆变运行时,另一组逆变回路也需要同时工作进行续流,在设备处于此种状态运行过程中往往会出现续流的逆变回路只有单边导通,导致单边承受电流是额定电流值的2倍,从而导致可控硅发热致损坏或加速老化。

[实用新型内容]

本实用新型的目的就是要解决上述的不足而提供一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元,可以有效避开另一组逆变回路,保护逆变可控硅,解决了现有并联谐振一拖二的电源中所存在的导致可控硅发热致损坏或加速老化的问题。

为实现上述目的设计一种新型一拖二并联谐振电源逆变控制单元,包括数字控制中心1、脉冲继电器二2、脉冲继电器一3、可编程控制器4、触摸屏5、旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8及旁路可控硅组件二9,所述数字控制中心1与脉冲继电器二2、脉冲继电器一3分别连接,所述脉冲继电器二2的输出端分别连接旁路可控硅组件二9、脉冲继电器二2,所述脉冲继电器一3的输出端分别连接旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7,所述脉冲继电器二2、脉冲继电器一3的输入端分别连接可编程控制器4的输出端,所述可编程控制器4的输入端连接触摸屏5。

所述旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9串联连接,所述逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8串联连接,所述旁路可控硅组件一6、旁路可控硅组件二9所在的支路与逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8所在的支路之间并联设置。

所述旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9之间的线路电连接逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8之间的线路。

本实用新型同现有技术相比,通过在两个逆变回路侧面各并联一组旁路可控硅,从而当其中单组逆变回路工作时,另一组的旁路可控硅打开续流,这样可以有效地避开另一组逆变回路,保护逆变可控硅,解决了现有并联谐振一拖二的电源中所存在的导致可控硅发热致损坏或加速老化的问题;此外,本实用新型所述的一拖二并联谐振电源逆变控制单元,随着逐步的推广,将得到广泛推广应用。

[附图说明]

图1是本实用新型的原理框图;

图中:1、数字控制中心 2、脉冲继电器二 3、脉冲继电器一 4、可编程控制器 5、触摸屏 6、旁路可控硅组件一 7、逆变可控硅组件一 8、逆变可控硅组件二 9、旁路可控硅组件二。

[具体实施方式]

下面结合附图对本实用新型作以下进一步说明:

如附图1所示,本实用新型包括:数字控制中心1、脉冲继电器二2、脉冲继电器一3、可编程控制器4、触摸屏5、旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8及旁路可控硅组件二9,数字控制中心1与脉冲继电器二2、脉冲继电器一3分别连接,脉冲继电器二2的输出端分别连接旁路可控硅组件二9、脉冲继电器二2,脉冲继电器一3的输出端分别连接旁路可控硅组件一6、逆变可控硅组件一7,脉冲继电器二2、脉冲继电器一3的输入端分别连接可编程控制器4的输出端,可编程控制器4的输入端连接触摸屏5;其中,旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9串联连接,逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8串联连接,旁路可控硅组件一6、旁路可控硅组件二9所在的支路与逆变可控硅组件一7、逆变可控硅组件二8所在的支路之间并联设置,旁路可控硅组件一6与旁路可控硅组件二9之间的线路电连接逆变可控硅组件一7与逆变可控硅组件二8之间的线路。

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