[实用新型]一种功率放大器的功率控制电路有效

专利信息
申请号: 201621379377.3 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN206249133U 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 胡鹏辉;冷华晖 申请(专利权)人: 深圳市飞思腾科技有限公司
主分类号: G05F1/66 分类号: G05F1/66
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518132 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率放大器 功率 控制电路
【权利要求书】:

1.一种功率放大器的功率控制电路,其特征在于:包括基准电压电路、采样电路、控制电路和偏置电路;

所述采样电路的采样端与外部放大电路的输出端连接;所述采样电路的输出端与控制电路连接;所述基准电压电路的输出端与控制电路连接;所述控制电路的输出端与偏置电路连接;所述偏置电路的输出端与外部放大电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种功率放大器的功率控制电路,其特征在于:所述控制电路为环路控制电路;所述环路控制电路包括Mos场效应晶体管M1、Mos场效应晶体管M2、Mos场效应晶体管M3、放大器A、电阻R4、电阻R5和电容C4;

所述Mos场效应晶体管M1和Mos场效应晶体管M2为镜像电流源;Mos场效应晶体管M1的栅极和Mos场效应晶体管M2的栅极相连;Mos场效应晶体管M1的栅极和其漏极相连;Mos场效应晶体管M2的漏极接电阻R4作为电流电压转换器;Mos场效应晶体管M2的漏极和电阻R4的节点与放大器A的正向输入端相连;放大器A的反向输入端与控制电压(vramp)相连;放大器A的输出端接Mos场效应晶体管M3的栅极;Mos场效应晶体管M3的栅极经电阻R5、电容C4接Mos场效应晶体管M3的漏极; Mos场效应晶体管M1、Mos场效应晶体管M2和Mos场效应晶体管M3的源极接电源。

3.根据权利要求1所述的一种功率放大器的功率控制电路,其特征在于:所述采样电路经一采样电阻与外部放大电路的输出端连接;所述采样电阻与外部放大电路的输出端并联。

4.根据权利要求1所述的一种功率放大器的功率控制电路,其特征在于:所述采样电路与控制电路之间接有光耦隔离器;所述光耦隔离器的输入端与采样电路的输出端连接;所述光耦隔离器的输出端与控制电路连接。

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