[实用新型]一种用于塑封器件开封的滴酸法开封装置有效
申请号: | 201621382656.5 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN206282826U | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 陆定红;范春帅;来启发 | 申请(专利权)人: | 贵州航天计量测试技术研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人: | 商小川 |
地址: | 550009 *** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 塑封 器件 开封 滴酸法 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于塑封器件开封的滴酸法开封装置,属于塑封器件开封技术领域。
背景技术
在塑封器件的可靠性领域,很多试验项目需要对塑封器件的包封层进行开封,以暴露出内部芯片、键合丝及引线框架等信息,以便于进行后续的试验和分析。但是,目前对于塑封器件的开封方法中,使用传统的酸洗的方法能够保证内部芯片完整无损,但不能保证塑封器件整体结构的完整性;采用自动开封装置能够满足通常的开封需求且内部芯片能够保证完整暴露,但是自动开封装置需要有合适的掩膜垫片,且喷出的酸雾腐蚀器件时,由于腐蚀的速度、腐蚀方向和可控性较低,开封的区域不能很好地控制,导致塑封器件开封过程中成功率较低。
塑封器件的激光开封方法能够很好地控制开封区域,也能够对开封的深度进行控制,但激光开封方法所采用的使用高能激光烧蚀的方法进行,使用激光开封方法开封至芯片表面时,高能激光同样会将芯片表面铝金属布线烧蚀,破坏芯片表面。
因此,研究一种可得到完整的外部框架,无损内部结构,以及确定的开封区域具有重要的现实意义。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种用于塑封器件开封的滴酸法开封装置,使用该装置对塑封器件进行开封,可以达到塑封器件开封中保存完好外部框架结构,开封区域确定,以及芯片内部完好的开封效果,可以克服现有技术的不足。
本实用新型的技术方案:一种用于塑封器件开封的滴酸法开封装置,包括酸滴装置,还包括加热装置、移动平台、密封装置和通风装置,所述通风装置与密封装置连通,所述酸滴装置、加热装置和移动平台置于密封装置内,其中,所述酸滴装置置于密封装置内上部,所述加热装置放置在移动平台上。
所述密封装置为由透明玻璃组成的外罩。
所述酸滴装置由滴瓶、胶头气囊、磨砂开关和磨砂活塞组成,其中,胶头气囊通过磨砂开关与滴瓶连接,在滴瓶上方开口安装有磨砂活塞,在滴瓶下方出口设有磨砂开关。
所述加热装置包括微电脑控制模块和加热模块,微电脑控制模块与加热模块连接。
所述加热模块包括加热丝、铝块和温度传感器,其中加热丝和温度传感器均置于铝块中,且均与微电脑控制模块连接。
在所述铝块表面贴有耐强酸腐蚀的铝箔。
所述移动平台为XY轴移动平台。
所述通风装置包括风扇、通风软管和风扇控制开关,其中风扇与通风软管连接,风扇安装在密封装置内。
所述滴酸法开封装置的操作方法包括以下步骤:
第一步:设定合适的温度,启动加热装置进行恒温加热;
第二步:在酸滴装置中加入适量酸性物质,并置于密封装置上部;
第三步:将待开封器件置于加热器皿中,然后将加热器皿放置在加热平台上加热;
第四步:调节移动平台,将待开封器件移动至酸滴装置的正下方;
第五步:控制酸滴装置对准待开封器件进行滴酸,如此重复,将需要开封的通过调节移动平台并控制酸滴装置进行滴酸开封。
对于开封窗口小于5mm的待开封器件,使用铝箔对器件管脚等不需要开封的部位进行保护。
本实用新型的有益效果:本实用新型开封装置结合滴酸法的优点,能够很好地完成塑封器件的开封,可得到确定的开封区域,同时保证了塑封器件结构的完整性。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是酸滴装置的结构示意图;
图3是移动平台的结构示意图;
图4是通风装置的结构示意图;
图中:1-酸滴装置,2-密封装置,3-加热模块,4-微电脑控制模块,5-加热器皿,6-移动平台,7-通风装置,11-胶头气囊,12-滴瓶,13-磨砂开关,14-磨砂活塞,61-X轴旋钮,62-Y轴旋钮,71-风扇,72-通风软管,73-转接接头。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
本发明滴酸法开封装置包括酸滴装置1、加热装置、移动平台6、密封装置2和通风装置7。其中:
密封装置2是由透明玻璃组成的外罩,在外罩上端设有用于安装酸滴装置1的安装孔,在其侧面壁上设有用于安装通风装置7的通风孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造