[实用新型]一种N型双面太阳电池有效
| 申请号： | 201621384993.8 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN206340553U | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张三洋;魏青竹;吴晨阳;刘晓瑞;陆俊宇;连维飞;倪志春 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫,李萍 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型双面太阳电池，包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化铝层、硼扩散层、N型硅基底、磷扩散层以及氮化硅钝化减反射膜，所述氮化硅层、氧化铝层构成叠层的氧化铝/氮化硅钝化层，其特征在于，所述氧化铝/氮化硅钝化层上刻蚀形成有用于对应各副栅线电极的刻蚀槽，副栅线电极填充在所述刻蚀槽内以形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的N型双面太阳电池，其特征在于，所述刻蚀槽处的硼扩散层上通过选择重掺硼形成硼重掺杂部。
3.根据权利要求1所述的N型双面太阳电池，其特征在于，所述氧化铝层厚度为5～30nm；
和/或，
所述氮化硅层的厚度为60～120nm；
和/或，
所述氮化硅钝化减反射薄膜的厚度为60～120nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
