[实用新型]太阳能电池背电极结构有效
申请号: | 201621386203.X | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN206293446U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 高艳飞;畅西林;宋标;李跃恒 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及光太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池背电极结构。
背景技术
太阳能作为一种绿色能源,以其取之不竭、无污染、不受地域资源限制等优点越来越受到人们的重视。随着太阳电池的不断发展,业界对电池质量也在不断的提高,不仅体现在电池电性能方面,同时对电池消耗的成本也有更高的要求。
在现在的电池片制造工艺中,电池片背面电极的主要作用为电流传导,具体表现为在组件端借助锡条将电池片串焊后,将电路导通,传输电流。所以,背面电极与锡条的焊接性能直接关系着太阳能电池组件的各方面性能。因此在现在的电池片制造工艺中,对于背面电极,各公司主要关注的为组件焊接性能及印刷银浆单耗,这两点直接关系电池、组件效率及生产成本。
目前常规太阳能电池背电极的制作工艺是采用丝网印刷将Ag、A l浆以特定图形印刷到硅片上并烧结而成。银背电极由于直接印刷在P型硅表面,在烧结后银与硅形成合金层,形成了无定形非晶高密度结构,同时向硅中引入了银杂质,这些杂质会在硅片表面形成大量复合中心,影响电池效率。很多公司对太阳能电池背电极的材料进行了研究,但对电极设计方面研究较少。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池背电极结构,以在保证背电极焊接拉力的同时,更有效地降低银铝浆的使用量并有助于提升背电极的烘干烧结效果从而形成具有良好欧姆接触的银硅合金层,有助于提升晶硅电池性能。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种太阳能电池背电极结构,包括若干组栅线,每组栅线均包括若干分段结构,每个分段结构内均设置有若干正八边形镂空结构,正八边形镂空结构内不填充导电浆料;其中,每个分段结构内的正八边形镂空结构的排列方式为:按照奇数行奇数个正八边形镂空结构、偶数行偶数个正八边形镂空结构依次叠加排列,所有奇数行的正八边形镂空结构的数量相等,所有偶数行的正八边形镂空结构的数量相等,且偶数行的正八边形镂空结构的数量少于奇数行的正八边形镂空结构的数量,并且排列的总行数为奇数。
在本实用新型的一个实施例中,每个分段结构内的正八边形镂空结构的排列方式为:按照奇数行五个正八边形镂空结构、偶数行四个正八边形镂空结构排列,且排列的总行数为五行。
在本实用新型的一个实施例中,每个分段结构的宽度为2-4mm,长度为20-25mm。
在本实用新型的一个实施例中,所述栅线的数量为四组。
在本实用新型的一个实施例中,所述分段结构的数量为三段。
本实用新型由于采用以上技术方案,使之与现有技术相比,具有以下的优点和积极效果:
1)本实用新型提供的太阳能电池背电极结构,每个分段结构内的正八边形镂空结构的排列方式为:按照奇数行奇数个正八边形镂空结构、偶数行偶数个正八边形镂空结构依次叠加排列,所有奇数行的正八边形镂空结构的数量相等,所有偶数行的正八边形镂空结构的数量相等,且偶数行的正八边形镂空结构的数量少于奇数行的正八边形镂空结构的数量,并且排列的总行数为奇数。相对于其他图形的设计,该设计方案能够在保证背电极焊接拉力的同时,更有效地降低银铝浆的使用量并有助于提升背电极的烘干烧结效果从而形成具有良好欧姆接触的银硅合金层。
(2)由于采用上述图形设计方案,可有效地优化了电池片的串联电阻、短路电流和填充因子,有助于提高电池片转换效率。
(3)由于采用上述图形设计方案,在不可再生资源的使用问题上,提高了银的利用率,在同等量的情况下做出更大的经济价值。
附图说明
图1为常规的太阳能电池背电极结构的示意图。
图2为本实用新型实施例提供的太阳能电池背电极结构的示意图。
标号说明:
100、200-栅线,101、210-分段结构,211-正八边形镂空结构
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的太阳能电池背电极结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用于方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
请参考图1,图1为常规的太阳能电池背电极结构的示意图,如图1所示,常规的太阳能电池背电极结构包括四组栅线100,每组栅线100包括三段分段结构101。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的