[实用新型]一种基于缺陷地结构的花环状双频微带天线

权利要求书

1.一种基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，包括有介质基板、辐射贴片和接地板，所述辐射贴片和接地板沿介质基板中心线对称布置，接地板在介质基板背面下方，所述辐射贴片由六边花环形贴片、圆环形贴片、十字贴片和上条带贴片和下条带贴片构成，介质基板正面上方设有六边花环形贴片，正六边花环形贴片的内环中有圆环形贴片，圆环形贴片中间与十字贴片连接，上条带贴片从圆环形贴片的底边向下连接六边花环形贴片，下条带贴片连接六边花环形贴片并延伸至介质基板的下底边缘，所述接地板由矩形贴片和不规则圆贴片组成，不规则圆贴片中部有一个等边倒三角形空白块。

2.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，所述介质基板为FR4环氧板，相对介电常数εr＝4.4，介质损耗为0.02，馈电方式为微带线馈电，特性阻抗为50Ω。

3.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，所述介质基板的长L为34mm，宽W为23mm，厚为1.6mm。

4.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，所述六边花环形贴片的外环上花环、下花环、下左花环和下右花环的外环外接圆半径R1＝6.2mm，内环外接圆半径R2＝5.2mm，上左花环和上右花环的外环外接圆半径R3＝4mm，R4＝3.3mm，下左花环的外环外接圆圆心到介质基板下底边的距离L4＝24mm，到介质基板左侧边的距离W3为7.2mm；上左花环外环外接圆圆心到介质基板下底边的距离30mm，到介质基板左侧边的距离W4为6.5mm；上花环外环外接圆圆心到上条带贴片的上边的距离L6为12.4mm,到介质基板左侧边的距离W5为11.5mm；下右花环外环外接圆圆心到介质基板下底边的距离L8为24mm，到介质基板右侧边的距离W7为7.2mm；上右花环外环外接圆圆心到介质基板下底边的距离为30mm，到介质基板右侧边的距离W6为6.5mm；下花环外环外接圆圆心到介质基板下底边的距离L9为20mm，到介质基板左侧边的距离W9为11.5mm。

5.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，所述圆环形贴片的外环外接圆半径R13＝3.5mm，内环外接圆半径R14＝3mm，圆环形贴片的圆心距离介质基板下底边长度L10为22mm，到介质基板左侧边的距离W8为11.5mm。

6.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，所述十字贴片的长度L12＝6.4mm，宽度L3＝2mm，十字贴片的底边与上条带贴片的顶边相连，所述上条带贴片的长度L2＝5mm，宽度W2＝1mm，上条带贴片的底边与下条带贴片的上侧相连。

7.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，所述接地板由矩形贴片和不规则圆贴片组成，不规则圆贴片中部有一个等边倒三角形空白块，所述接地板的上边宽度W10＝8.72mm，接地板的矩形块宽度W＝23mm，高度L18＝6mm，接地板的上侧至等边倒三角形的上侧的长度L14＝1.65mm，等边倒三角形空白块的边长W11＝4.33mm，高度L15＝3.75mm，等边倒三角形空白块的底端至不规则圆贴片的圆心的距离L16＝3.6mm，不规则圆贴片的圆心至介质基板的下底边缘的长度L17＝3mm，不规则圆贴片的半径R15＝10mm，不规则圆贴片与矩形贴片的交点到介质基板侧边的距离W13＝1.96mm，不规则圆贴片与矩形铁片的左交点到不规则圆贴片与矩形铁片的右交点之间的宽度W12＝19.08mm。

8.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的花环状双频微带天线，其特征在于，所述下条带贴片的宽度W1＝3mm，上条带贴片的下底边至介质基板下底边的长度L1＝13.8mm。