[实用新型]多层结构的高阻隔型太阳能电池背板有效
申请号: | 201621389010.X | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN206271721U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 李民 | 申请(专利权)人: | 上海海优威新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人: | 王洁,郑暄 |
地址: | 201209 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 结构 阻隔 太阳能电池 背板 | ||
技术领域
本实用新型涉及薄膜制造领域,尤其涉及太阳能电池背板用薄膜,具体是指一种多层结构的高阻隔型太阳能电池背板。
背景技术
太阳能电池组件用背板必须具备优异的绝缘性、水汽阻隔性和耐候性等,传统背板以聚酯为基材,聚酯在水汽的作用下,老化后性能衰减严重,对电池片的保护作用减弱,具有高阻隔性能的背板对提高太阳能电池的使用寿命具有重大意义。
传统背板一般是用PET作为基材,以氟塑料薄膜为耐候层,由于氟塑料成本高昂,且基本处于国外垄断状态,故传统背板的价格很难降下来,高性价比的新背板具有很大需求。本结构的背板采用高阻隔的PVDC作为阻隔层,拥有比传统背板更高的阻隔性能,大大延缓了水汽、氧气等进入组件内对电池造成腐蚀,从而影响发电效率的风险。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服了上述现有技术的缺点,提供了一种能够降低成本的具有高阻隔性能的、有效提高背板的各项性能的多层结构的高阻隔型太阳能电池背板。
为了实现上述目的,本实用新型的多层结构的高阻隔型太阳能电池背板具有如下构成:
所述的太阳能电池背板包括从上到下依次设置的耐候PET层、第一粘接层、高阻隔PVDC层、第二粘接层以及PET基材层。
较佳地,所述的PET耐候层的厚度为50~80μm。
较佳地,所述的高阻隔PVDC层的厚度为10~50μm。
较佳地,所述的PET基材层的厚度为100~400μm。
较佳地,所述的第一粘接层和第二粘接层的厚度为3~20μm。
较佳地,所述的第一粘接层和第二粘接层均为聚氨酯粘接层、丙烯酸酯粘接层或环氧树脂层粘接。
采用了该实用新型中的多层结构的高阻隔型太阳能电池背板,区别于传统背板的多层结构,耐候PET层具有抗水解、抗氧化功能;高阻隔PVDC层具有阻气、阻水功能;PET基材层具有结构增强、增韧功能,大大提升了背板的阻隔性能,不仅降低了成本,也减少了氟膜带来的环境污染,并且高阻隔层让水汽、氧气等气体更难渗透到电池片内部,延长了太阳能电池组件的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的多层结构的高阻隔型太阳能电池背板的结构示意图。
附图标记:
1 耐候PET层
2 第一粘接层
3 高阻隔PVDC层
4 第二粘接层
5 PET基材层
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本实用新型的技术内容,下面结合具体实施例来进行进一步的描述。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
本实用新型的多层结构的高阻隔型太阳能电池背板包括从上到下依次设置的耐候PET层、第一粘接层、高阻隔PVDC层、第二粘接层以及PET基材层。
其中所述的PET耐候层的厚度为50~80μm;所述的高阻隔PVDC层的厚度为10~50μm;所述的PET基材层的厚度为100~400μm;所述的第一粘接层和第二粘接层的厚度为3~20μm;所述的第一粘接层和第二粘接层均为聚氨酯粘接层、丙烯酸酯粘接层或环氧树脂层粘接。
如图1所示,太阳能电池背板包括:耐候PET层1、第一粘结层2、高阻隔PVDC层3、第二粘接层4、PET基材层5。
所述的太阳能电池背板的耐候PET层具有抗水解、抗氧化功能;高阻隔PVDC层具有阻气、阻水功能;PET基材层具有结构增强、增韧功能。
实施例1
本实施例为五层结构,分别为候PET层,厚度为50μm、第一粘结层5μm、高阻隔PVDC层20μm、第二粘接层5μm、PET基材层200μm。
实施例2
本实施例为五层结构,分别为候PET层,厚度为80μm、第一粘结层5μm、高阻隔PVDC层30μm、第二粘接层5μm、PET基材层220μm。
采用了该实用新型中的多层结构的高阻隔型太阳能电池背板,区别于传统背板的多层结构,大大提升了背板的阻隔性能,不仅降低了成本,也减少了氟膜带来的环境污染,并且高阻隔层让水汽、氧气等气体更难渗透到电池片内部,延长了太阳能电池组件的使用寿命。
在此说明书中,本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是,很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此,说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的